"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Широкозонные полупроводники для силовой электроники
Лебедев А.А.1, Челноков В.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1999 г.

Рассмотрены последние результаты, полученные при разработке силовых приборов на основе широкозонных полупроводников. Показано, что в настоящее время самым перспективным материалом для высокотемпературной, радиационно стойкой силовой электроники остается карбид кремния. Рассмотрены некоторые проблемы, содержащие широкое промышленное внедрение приборов на основе SiC.
  1. E.O. Jonson. RCA Rev., 26, 163 (1965)
  2. А.Е. Отблеск, В.Е. Челноков. Матер. 11 Зимней школы ФТИ (Л., ЛИЯФ, 1979) с. 161
  3. M.N. Yoder. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-43, 1633 (1996)
  4. R.W. Keyes. Proc. IEEE, 60, 225 (1972)
  5. B.J. Baliga. J. Appl. Phys., 53, 1759 (1982)
  6. R. Gaska, Q. Chen, J. Yang, A. Osinsky, M. Asif Khan, M.S. Shur. IEEE Electron. Dev. Lett., 18, 492 (1997)
  7. K. Szenai, R.S. Scott, B.J. Baliga. IEEE Electron. Dev., 10, 85 (1989)
  8. S. Nakamura. MRS Billetin, 22, 29 (1997)
  9. M.S. Shur, M.A. Khan. MRS Billetin, 22, 44 (1997)
  10. J.T. Torvik, Qin Chang-Hua, M. Lecsono, J.I. Pankove. Appl. Phys. Lett., 72, 945 (1998)
  11. Г. Хэниш, Р. Рой. Карбид кремния (М., Мир, 1972) с. 17
  12. S. Sussman, J.R. Brandor, G.A. Scarsbrook, C.G. Sweeney, T.J. Valentine, A.J. Whitehaed, C.J. Wort. Diamond and Rel. Mater., 3, 303 (1994)
  13. Q. Wahab, T. Kimoto, A. Ellison, C. Hallin, M. Timonen, R. Yakimova, A. Henry, J.P. Bergman, E. Janzen. Appl. Phys. Lett., 72, 445 (1998)
  14. C.H. Carter, V.F. Tsvetkov, D. Henshall, O. Kordina, K. Irvine, R. Singh, S.T. Allen, J.W. Palmor. Abstracts 2d Europ. Confer. SiC and Rel. Mater. (Sept. 2--4, 1998, Montpellier, France) p. 1
  15. A.K. Agarwal, J.B. Casady, L.B. Rowland, S. Seshadri, R.R. Siergeiej, W.F. Valek, C.D. Brandt. IEEE Electron. Dev. Lett., 18, 518 (1997)
  16. R.R. Siergeiej, S. Sriman, R.C. Clarke, A.H. Agarwal, C.D. Brandt, A.A. Burk, T.J. Smith, A.W. Morse, P.A. Orphanos. Inst. Phys. Conf., No 142, 769 (1996)
  17. J.A. Cooper, Jr., M.A. Melloch, J.M. Woodall, J. Spitz, K.J. Schoen, J.P. Henning. Meter. Sci. Forum, 264--268, 895 (1998)
  18. R. Gaska, J.W. Yang, A. Osinsky, Asif Khan, A.O. Orlov, G.L. Shidet, M.S. Shur. Appl. Phys. Lett., 72, 707 (1998)
  19. Ch. Brylinskii. Abstracts 2d Europ. Confer. SiC and Rel. Mater. (Sept. 2--4, 1998, Montpellier, France) p. 45
  20. S.V. Renadakova, I.P. Nikitina, A.S. Tregubova, V.A. Dmitriev. J. Electron. Mater., 27, 292 (1998)
  21. V. Dmitriev, S. Rendakova, N. Kuznetsov, N. Savkina, A. Andreev, M. Rastegaeva, M. Munbaeva, A. Morozov. Abstracts 2d Europ. Confer. SiC and Rel. Mater. (Sept. 2--4, 1998, Montpellier, France) p. 251
  22. A.A. Lebedev, M.G. Rastegaeva, A.L. Syrkin, N.S. Savkina, A.S. Tregubova, V.E. Chelnokov, M.P. Scheglov. Inst. Phys. Cong. Ser, No 155, 605 (1997)
  23. A.A. Lebedev, A.M. Strel'chuk, V.V. Kozlovski, N.S. Savkina, D.V. Davydov, V.V. Solov'ev. Abstracts 2d Europ. Confer. SiC and Rel. Mater. (Sept. 2--4, 1998, Montpellier, France) p. 257
  24. S. Nishino, T. Yoshida, K. Matsumoto, Y. Chen, S.K. Lilov. Abstracts 2d Europ. Confer. SiC and Rel. Mater. (Sept. 2--4, 1998, Montpellier, France) p. 27
  25. K.P. Raback, R. Yakimova, M. Syvajarui, R. Neiminer, E. Janzen. Abstracts 2d Europ. Confer. SiC and Rel. Mater. (Sept. 2--4, 1998, Montpellier, France) p. 103
  26. Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov, M.G. Ramm, A.O. Roenkov. Krist. and Technik., 14, 729 (1979).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.