"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние локальных колебаний на концентрацию атомов H и D на поверхности Si
Ипатова И.П.1, Чикалова-Лузина О.П.1, Хесс К.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет штата Иллинойс, Институт Бекмана, Урбана, США
Поступила в редакцию: 1 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1999 г.

Вычислены равновесные поверхностные концентрации пассивирующих адатомов для кристалла кремния, находящегося в равновесии с газом водорода H2 или D2. Различие поверхностных концентраций адатомов H и D определяется разницей их поверхностных локальных колебаний. Равновесные поверхностные концентрации дейтерия оказываются на порядок больше поверхностных концентраций водорода.
  1. S.L. Cunnigham, L. Dobrzynski, A.A. Maradudin. Phys. Rev. B, 7, 4643 (1997)
  2. E.W. Montroll, A.A. Maradudin, G.H. Weiss, I.P. Ipatova. Theory of Lattice Dynamic (Academic Press, N. Y.--London, 1971)
  3. L. Miglio, P. Ruggerone, G. Benedek. Physica Scripta 37, 768 (1988)
  4. V.A. Burrows, Y.J. Chabal, G.S. Higashi, K. Raghavachary, S.B. Christman, Appl. Phys. Lett., 53, 998, (1988)
  5. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Статистическая физика (М., Наука, 1976) т. V, гл. IX
  6. I.C. Kizilyalli, J.W. Lyding, K. Hess. IEEE Electron Dev. Lett., 18, 81 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.