"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Радиационное облучение как возможный метод для формирования SiC-гетероструктур
Лебедев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1999 г.

В работе рассмотрены некоторые аспекты физики гетерополитипных переходов на основе карбида кремния. Известно, что введение некоторых примесей в зону роста при эпитаксии карбида кремния приводит к росту пленок, имеющих другой политип, чем исходная подложка. Известно также, что эти примеси приводят к образованию определенных глубоких центров в запрещенной зоне проводника. Проведенный в настоящей работе анализ литературных данных показывает, что к образованию этих глубоких центров приводит также облучение SiC различными заряженными частицами. Высказывается предположение, что при определенных условиях эксперимента возможна трансформация политипа уже выращенной эпитаксиальной структуры SiC под воздействием облучения и последующего отжига.
  1. Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов. ФТТ, 24, 1377 (1982)
  2. Ю. Вахнер, Ю.М. Таиров. ФТТ, 12, 1543 (1970)
  3. Ю.А. Водаков, Е.Н. Мохов, А.Д. Роенков, М.М. Аникин. Письма ЖТФ, 5, 367 (1979)
  4. Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг. ФТТ, 19, 1812 (1977)
  5. A.A. Lebedev. Abstracts 19 Int. Conf. Def. in Semicond. (Averio, Portugal, 1997) p. 239
  6. Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov. Inst. Phys. Conf. Ser., No 137, 197 (1994)
  7. Н.Д. Сорокин, Ю.М. Таиров, В.Ф..Цветков, М.А. Чернов. Кристаллография, 28, 910 (1983)
  8. А.А. Лебедев. ФТП, 33, 129 (1999)
  9. A.A. Lebedev. Abstracts Int. Conf. on SiC, III Nitrides and Related Materials (Stokholm, Sweden, 1997) p. 67
  10. Р.Н. Кютт, А.А. Лепенева, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, А.С. Трегубова, Г.Ф. Юлдашев. ФТТ, 30, 2606 (1988)
  11. А.И. Гирка, В.А. Кулешин, А.Д. Мокрушин, Е.Н. Мохов, С.В. Свирида, А.В. Шишкин. ФТП, 23, 1270 (1989)
  12. М.М. Аникин, А.А. Лебедев, А.Л. Сыркин, А.В. Суворов. ФТП, 19, 114 (1985)
  13. М.М. Аникин, А.А. Лебедев, А.Л. Сыркин, А.В. Суворов. ФТП, 20, 2169 (1986)
  14. G.C. Rubicki. J. Appl. Phys., 78, 2996 (1995)
  15. G. Zeinther, D. Theeis. IEEE Trans. Electron., ED-28, 425 (1981).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.