"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Радиационное облучение как возможный метод для формирования SiC-гетероструктур
Лебедев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1999 г.

В работе рассмотрены некоторые аспекты физики гетерополитипных переходов на основе карбида кремния. Известно, что введение некоторых примесей в зону роста при эпитаксии карбида кремния приводит к росту пленок, имеющих другой политип, чем исходная подложка. Известно также, что эти примеси приводят к образованию определенных глубоких центров в запрещенной зоне проводника. Проведенный в настоящей работе анализ литературных данных показывает, что к образованию этих глубоких центров приводит также облучение SiC различными заряженными частицами. Высказывается предположение, что при определенных условиях эксперимента возможна трансформация политипа уже выращенной эпитаксиальной структуры SiC под воздействием облучения и последующего отжига.
  • Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов. ФТТ, 24, 1377 (1982)
  • Ю. Вахнер, Ю.М. Таиров. ФТТ, 12, 1543 (1970)
  • Ю.А. Водаков, Е.Н. Мохов, А.Д. Роенков, М.М. Аникин. Письма ЖТФ, 5, 367 (1979)
  • Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг. ФТТ, 19, 1812 (1977)
  • A.A. Lebedev. Abstracts 19 Int. Conf. Def. in Semicond. (Averio, Portugal, 1997) p. 239
  • Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov. Inst. Phys. Conf. Ser., No 137, 197 (1994)
  • Н.Д. Сорокин, Ю.М. Таиров, В.Ф..Цветков, М.А. Чернов. Кристаллография, 28, 910 (1983)
  • А.А. Лебедев. ФТП, 33, 129 (1999)
  • A.A. Lebedev. Abstracts Int. Conf. on SiC, III Nitrides and Related Materials (Stokholm, Sweden, 1997) p. 67
  • Р.Н. Кютт, А.А. Лепенева, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, А.С. Трегубова, Г.Ф. Юлдашев. ФТТ, 30, 2606 (1988)
  • А.И. Гирка, В.А. Кулешин, А.Д. Мокрушин, Е.Н. Мохов, С.В. Свирида, А.В. Шишкин. ФТП, 23, 1270 (1989)
  • М.М. Аникин, А.А. Лебедев, А.Л. Сыркин, А.В. Суворов. ФТП, 19, 114 (1985)
  • М.М. Аникин, А.А. Лебедев, А.Л. Сыркин, А.В. Суворов. ФТП, 20, 2169 (1986)
  • G.C. Rubicki. J. Appl. Phys., 78, 2996 (1995)
  • G. Zeinther, D. Theeis. IEEE Trans. Electron., ED-28, 425 (1981).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.