Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Гетероструктуры в системе InGaAs / InP c напряженными квантовыми ямами и квантовыми точками (lambda=1.5-1.9 мкм)

Соколова З.Н.¹, Винокуров Д.А.¹, Тарасов И.С.¹, Гунько Н.А.¹, Зегря Г.Г.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 1 марта 1999 г.

Выставление онлайн: 20 августа 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Экспериментально и теоретически исследуются сильно напряженные гетероструктуры In_xGa_1-xAs / In_0.53Ga_0.47As / InP с содержанием индия в активной области x=0.69-1.0. Методом газофазной эпитакси из металлорганических соединений и гидридов получено два типа структур: 1) с одиночными сжато-напряженными квантовыми ямами, 2) с самоорганизующимися наноразмерными кластерами (квантовыми точками) InAs. Температурная зависимость квантовой эффективности излучения образцов с квантовыми ямами в интервале 77-265 K характеризуется T₀=43 K. Одной из причин малого T₀ является делокализация электронов в активной области. Максимальная длина волны излучения, полученная в структурах с квантовыми точками, составляет 1.9 мкм при 77 K.

J. Dias, H. Yu, A. Rybaltowski, B. Lane, G. Lukas, D. Wu, S. Kim, M. Erdtmann, E. Kaas, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 70, 40 (1997)
D.Z. Garbuzov, R.U. Martinelli, H. Lee, P.K. York, R.J. Menna, J.C. Connoly, S.Y. Narayan. Appl. Phys. Lett., 69, 2006 (1996)
L. Zheng, C.H. Lin, K.E. Singer, M. Missous. IEE Proc. Optoelectron., 144, 360 (1997)
А.Д. Бондарев, Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, О.В. Коваленков, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 24, 46 (1998)
O.V. Kovalenkov, I.S. Tarasov, D.A. Vinokurov, V.A. Kapitonov. Abstracts 6th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, Russia, June 22--26 (1998) p. 268.
B.M. Устинов, А.Е. Жуков, А.Ф. Цацульников, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, М.В. Максимов, А.А. Суворова, Н.А. Берт, П.С. Копьев. ФТП, 31, 1256 (1997)
В.М. Устинов. А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, Н.Н. Леденцов, А.В. Лунев, Ю.М. Шерняков, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников. Б.В. Воловик, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов. Письма ЖТФ, 24, 49 (1998)
M. Silver, E.P. O'Reilly. IEEE J. Quant. Electron., 30, 547 (1994)
Г.Г. Зегря, А.С. Полковников. ЖЭТФ, 113, 1491 (1998)
Г.Г. Зегря, В.А. Харченко. ЖЭТФ, 101, 327 (1992)
N.A. Gun'ko, V.B. Khalfin, Z.N. Sokolova, G.G. Zegrya. J. Appl. Phys., 84, 547 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель