"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Спонтанно формирующиеся периодические InGaAsP-структуры с модулированным составом
Вавилова Л.С.1, Капитонов В.А.1, Мурашова А.В.1, Пихтин Н.А.1, Тарасов И.С.1, Ипатова И.П.1, Щукин В.А.1, Берт Н.А.1, Ситникова А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1999 г.

Теоретически и экспериментально установлено, что в определенных интервалах температур и составов твердые растворы InGaAsP представляют собой систему напряженных, чередующихся (во взаимно перпендикулярных направлениях [100] и [010]) доменов твердого раствора двух различных составов с разными постоянными решетки. Домены резко выражены у поверхности эпитаксиальной пленки и размываются в глубину к подложке. Полученные данные с большой вероятностью указывают на спинодальный распад твердых растворов InGaAsP в экспериментальных образцах.
  1. G.B. Stringfellow. J. Cryst. Growth, 65, 454 (1983)
  2. I.P. Ipatova, V.A. Shchukin, V.G. Malyshkin, A.Yu. Maslov, E. Anastassakis. Sol. St. Commun., 78, 19 (1991)
  3. B. de Cremoux. J. Physique, 43, C5--19 (1982)
  4. И.П. Ипатова, В.Г. Малышкин, А.Ю. Маслов, В.А. Щукин. ФТП, 27 (2), 285 (1993)
  5. I.P. Ipatova, V.G. Malyshkin, V.A. Shchukin. J. Appl. Phys., 74, 7198 (1993)
  6. I.P. Ipatova, V.G. Malyshkin, V.A. Shchukin. Phil. Mag., 70, 557 (1994)
  7. Д. Бимберг, И.П. Ипатова, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, В.Г. Малышкин, В.А. Щукин. УФН, 167 (3), 552 (1997)
  8. Seiji Mukai. J. Appl. Phys., 54(5), 2635 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.