"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Диффузия легирующих примесей из полимерных диффузантов и применение этого метода в технологии полупроводниковых приборов О б з о р
Гук Е.Г.1, Каманин А.В.1, Шмидт Н.М.1, Шуман В.Б.1, Юрре Т.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 июня 1997 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.

Рассмотрены особенности нетрадиционного метода диффузии из полимерных диффузантов различных примесей в кремний и полупроводниковые соединения AIIIBV. Приведены результаты использования этого метода в технологии полупроводниковых приборов на кремнии и гетероструктурах AlGaAs/GaAs и InGaAs(P)/InP.
  1. А.И. Борисенко, В.В. Новиков, Н.Е. Прихидько, И.М. Митникова, Л.Ф. Чепик. Тонкие неорганические пленки в микроэлектронике (Л., Наука, 1972)
  2. Е.Г. Гук, А.В. Ельцов, Т.А. Юрре, В.Б. Шуман. Фоторезисты-диффузанты в полупроводниковой технологии (Л., Наука, 1984)
  3. K.D. Beyer. J. Electrochem. Soc., 123, 1556 (1976)
  4. K.D. Beyer. J. Electrochem. Soc., 124, 630 (1977)
  5. А.Б. Любашевская, Л.А. Катаева, Л.А. Бобров. Вопросы радиоэлектроники, сер. ОТ, N 9, 17 (1968)
  6. Н.Е. Прихидько, А.И. Борисенко, Л.Ф. Чепик, В.В. Новиков, И.М. Митникова. Вопросы радиоэлектроники, сер. ТПО, N 1, 20 (1970)
  7. D.B. Zee. Sol. St. Electron., 10, 623 (1967)
  8. V. Ramamurthy. ASTM. Special Technicial Publication. Fourth Int. Symp. on Semicond. Processing (San. Jose, CA, USA, 1987) p. 95
  9. S.T. Ten, D.G.S. Chuan. Sol. Energy Mater., 19, 237 (1989)
  10. B. Unger, U. Schade, M. Hannert et al. Proc. SPIE, 1128, 17 (1990)
  11. N. Arnold, R. Schmitt, K. Heime. J. Phys. D, Appl. Phys., 17, 443 (1984)
  12. H. Albrecht, Ch. Lauterbach. Jap. J. Appl. Phys., 25, Part 2, L589 (1986)
  13. D.L. Murrell. Semicond. Sci. Technol., 5, 414 (1990)
  14. А.В. Ельцов, Е.Г. Гук, Т.А. Юрре. Письма ЖТФ, N 1, 258 (1975)
  15. Pat. USA (1993) N 5094976
  16. С.В. Беляков, Л.А. Бусыгина, А.Т. Гореленок, А.В. Каманин, В.А. Кукатов, А.В. Меркулов, И.А. Мокина, Н.М. Шмидт, Т.Ф. Юрре. Письма ЖТФ, N 18, 35 (1992)
  17. B.Ya. Ber, L.A. Busygina, A.T. Gorelenok, A.V. Kamanin, A.V. Merkulov, I.A. Mokina, N.M. Shmidt, I.Yu. Yakimenko, T.A. Yurre. Proc. 17th Conf. on Defects in Semicond. (Gmunden, Austria) [Materials Science Forum, 143--147, 1415 (1994)]
  18. A.V. Kamanin, A.V. Merkulov, A.M. Mintairov, I.A. Mokina, N.M. Shmidt, L.A. Busygina, T.A. Yurre. Proc. of CAS'95 Int. Semicond. Conf. (Sinaia, Romania, 1995) p. 293
  19. A.V. Kamanin, I.A. Mokina, N.M. Shmidt, L.A. Busygina, T.A. Yurre. Proc. 8th Int. Conf. on InP and Related Compounds (Schwabisch Gmund, Germany, 1996) p. 334
  20. B. Tuck, A. Hooper. J. Phys. D, Appl. Phys., 8, 1806 (1975)
  21. M. Glade, J. Hergeth, D. Grutzmacher, K. Masseli, P. Balk. J. Cryst. Growth, 108, 449 (1991)
  22. Б.И. Болтакс, Т.Д. Джафаров, Ю.П. Демаков, И.Е. Морончук. ФТП, 9, 825 (1975)
  23. A.V. Kamanin, I.A. Mokina, N.M. Shmidt. Sol. St. Electron., 39, 1441 (1996)
  24. D.R. Campbell, K.K. Shih. Appl. Phys. Lett., 19, 330 (1971)
  25. C.P. Lee, S. Margalit, A. Yariv. Sol. St. Electron., 21, 905 (1978)
  26. Y.-R. Yuan, K. Eda, G.A. Vawter, J.L. Merz. J. Appl. Phys., 54, 6044 (1983)
  27. В.М. Андреев, О.В. Сулима. ЖТФ, 54, 1320 (1984)
  28. S.E. Blum, M.B. Small, D. Gupta. Appl. Phys. Lett., 42, 108 (1983)
  29. S.K. Ageno, R.J. Roedel, N. Mellen, J.S. Escher. Appl. Phys. Lett., 47, 1193 (1985)
  30. B.Ya. Ber, A.T. Gorelenok, A.V. Kamanin, A.V. Merkulov, A.M. Mintairov, I.A. Mokina, N.M. Shmidt, I.Yu. Yakimenko. Proc. 23rd Int. Symp. Compound Semiconductors (St. Petersburg, Russia, 1996) [Inst. Phys. Conf. Ser., 155, 965 (1997)]
  31. Р.М. Кундухов, С.Г. Метревели, Н.В. Сиукаев. ФТП, 1, 924 (1967)
  32. A. Hooper, B. Tuck, A.J. Baker. Sol. St. Electron., 17, 531 (1974)
  33. G.J. van Gurp, T. van Dongen, G.M. Fontijn, J.M. Jacobs, D.L. Tjaden. J. Appl. Phys., 65, 553 (1989)
  34. K. Kazmierski, A.M. Huber, G. Morillot, B. de Cremoux. Jap. J. Appl. Phys., 23, Part 1, 628 (1984)
  35. Y. Matsumoto. Jap. J. Appl. Phys., 22, 1699 (1983)
  36. G.J. van Gurp, P.R. Boudewijn, M.N.C. Kempeners, D.L. Tjaden. J. Appl. Phys., 61, 1846 (1987)
  37. U. Schade, P. Enders. Semicond. Sci. Technol., 7, 752 (1992)
  38. T.Y. Tan, S. Yu, U. Gosele. Optical Quant. Electron., 23, S863 (1991)
  39. N.N. Faleev, A.T. Gorelenok, A.V. Kamanin, I.A. Mokina, A.V. Merkulov, E.L. Obukhova, N.M. Shmidt. Proc. 7th Int. Conf. on InP and Related Compounds (Sapporo, Japan, 1995) p. 105
  40. A.T. Gorelenok, N.N. Faleev, A.V. Kamanin, A.V. Merkulov, I.A. Mokina, E.L. Obukhova, N.M. Shmidt. Proc. 8th Conf. on Semi-Insulat. III--V Mater. (Warsaw, Poland) [ Semi-insulating III--V Materials, ed. by M. Godlewski (Singapore, World Scientific Co. Pte. Ltd., 1994) p. 279]
  41. B.Ya. Ber, E.G. Guk, A.V. Kamanin, Yu.A. Kudryavtsev, I.A. Mokina, N.M. Shmidt, V.B. Shuman, L.A. Busygina, T.A. Yurre. Vacuum Sci. Technol. B, 16, 426 (1998)
  42. H. Shiraki. Japan J. Appl. Phys., 14, 747 (1975)
  43. G.A. Rozgonui, P.M. Petroff, M.H. Read. J. Electrochem. Soc., 122, 1725 (1975)
  44. S.J. Silverman, J.B. Singleton. J. Electrochem. Soc., 105, 591 (1958)
  45. Р.В. Конакова, В.Б. Шуман. Электрон. техн., сер. 2, N 5, 66 (1970)
  46. Е.Г. Гук, В.Б. Шуман. Вопросы радиоэлектроники, сер. ТПО, N 3, 23 (1981)
  47. Е.Г. Гук, В.Б. Шуман, Т.А. Юрре. Тр. конф. "Технология мощных полупроводниковых приборов" (Валгус, Таллин, 1987) с. 43
  48. W.M. Bullis. Sol. St. Electron., 9, 143 (1966).!! vadjust !!
  49. R.O. Carlson, R.N. Hall, E.M. Pell. J. Phys. Chem. Sol., 8, 81 (1959)
  50. Е.Г. Гук, А.В. Ельцов, С.Ф. Луизова, В.Б. Шуман, Т.А. Юрре. Письма ЖТФ, 11, 227 (1985)
  51. М.М. Ахмедова, А.Ф. Кардо-Сысоев, И.Г. Чашников, В.Б. Шуман. ФТП, 9, 817 (1975)
  52. В.П. Решетин, В.Б. Шуман. РЭ, 25, 436 (1980)
  53. В.Б. Шуман. РЭ, 25, 1560 (1980)
  54. А.Ф. Кардо-Сысоев, В.П. Решетин, В.Б. Шуман. РЭ, 20, 1484 (1975)
  55. А.Ф. Кардо-Сысоев, В.П. Решетин, В.Б. Шуман. РЭ, 20, 1768 (1975)
  56. А.С. Зубрилов, В.Б. Шуман. ЖТФ, 57, 1843 (1987)
  57. А.С. Зубрилов, О.А. Котин, В.Б. Шуман. ФТП, 23, 607 (1989)
  58. Е.Г. Гук, В.Б. Шуман, М.З. Шварц. Письма ЖТФ, 21, 40 (1995)
  59. R.D. Nasby, C.M. Garner, F.W. Sexton, J.L. Rodriguez, B.H. Rose, H.T. Weaver. Solar Cells, 6, 49 (1982)
  60. A.R. Kirkpatrick, J.A. Minnucci, A.C. Greenwald. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-24, 429 (1977)
  61. И.Ю. Волчек, Е.Г. Гук, В.Б. Шуман, Д.В. Тархин. Гелиотехника, N 4, 26 (1991)
  62. B. Lax, S.F. Neustadter. J. Appl. Phys., 25, 1148 (1954)
  63. А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы. Теория и эксперимент (М., Энергоатомиздат, 1987)
  64. М.М. Колтун. Оптика и метрология солнечных элементов (М., Наука, 1985)
  65. Е.Г. Гук, Н.С. Зимогорова, М.З. Шварц, В.Б. Шуман. ЖТФ, 67, 129 (1997)
  66. Е.Г. Гук, Т.А. Налет, М.З. Шварц, В.Б. Шуман. ФТП, 31, 855 (1997)
  67. В.М. Андреев, А.Т. Гореленок, М.З. Жингарев, Л.Е. Клячкин, В.В. Мамутин, Н.М. Сараджишвили, В.И. Скопина, О.В. Сулима, Н.М. Шмидт. ФТП, 19, 668 (1985)
  68. A.J. Moseley, M.Q. Kearley, R.C. Morris, J. Urquhart, M.J. Goodwin, G. Harris. Electron. Lett., 27, 1566 (1991).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.