"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование микротопографии поверхностей SiO2 и Si межфазной границы Si/SiO2 в структурах SIMOX методом сканирующей туннельной микроскопии
Вялых Д.В.1, Федосеенко С.И.1
1Научно-исследовательский институт физики, Петродворец, Россия
Поступила в редакцию: 20 ноября 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.

Методом сканирующей туннельной микроскопии проведены исследования микротопографии поверхностей кремния и окисла кремния в структурах SIMOX. Для этой цели разработана методика, позволяющая применить метод сканирующей туннельной микроскопии для изучения неоднородностей на межфазной границе Si/SiO2. Показано, что рельеф поверхности кремния в структурах SIMOX является более гладким по сравнению с рельефом поверхности окисла. Неоднородности, которые наблюдаются на межфазной границе Si/SiO2, связаны с процессом имплантации ионов кислорода в монокристалл кремния. Проведено сравнение неоднородностей на поверхностях SiO2 и Si на межфазной границе Si/SiO2 при стандартном и высокотемпературном окислении монокристалла кремния.
  1. J.P. Colinge. Silicon-on-Insulator Technology: Materials to VLSI (Kluwer Academic Pub., Notwell, MA 1991)
  2. A.G. Revesz, G.A. Brown, H.L. Hughes. J. Electrochem. Soc., 140, 3222 (1993)
  3. V.V. Afanas'ev, A.G. Revesz, G.A. Brown, H.L. Hughes. J. Electrochem. Soc., 141, 2801 (1994)
  4. S.I. Fedoseenko, V.K. Adamchuk, V.V. Afanas'ev. J. Microelectronic Engin., 22, 367 (1993)
  5. S.W. Crowder, P.B. Griffin, J.D. Plummer. J. Appl. Phys. Lett., 65, 1698 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.