"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Реконструкция и электронные состояния гетерограницы Ga2Se3--GaAs
Агапов Б.Л.1, Арсентьев И.Н.2, Безрядин Н.Н.1, Котов Г.И.1, Сумец М.П.1
1Воронежская государственная технологическая академия, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 сентября 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.

Методами электронной микроскопии и электронографии установлено, что при образовании слоев Ga2Se3(110) на поверхностях GaAs(100) и (111) в процессе термической обработки их в парах селена формируется переходная область с кристаллографической ориентацией [310] и [211] соответственно. Из исследования спектра поверхностных электронных состояний в сформированных гетероструктурах следует, что снижение плотности поверхностных электронных состояний достигается только после обработки в парах селена в узком временном интервале (от 5 до 30 мин в условиях, используемых в данной работе). В совокупности полученные результаты объясняются в рамках представлений о реконструировании поверхности арсенида галлия в процессе обработки ее в халькогене.
  1. W.E. Spicer, I. Lindau, P.E. Gregory, C.M. Garner, P. Pianetta. J. Vac. Sci. Technol., 13, 780 (1976)
  2. P. Victorovitch. Rev. Phys. Appl., 25, 895 (1990)
  3. Б.И. Сысоев, Н.Н. Безрядин, Г.И. Котов, В.Д. Стрыгин. ФТП, 27, 131 (1993)
  4. Б.И. Сысоев, Н.Н. Безрядин, Г.И. Котов, Б.Л. Агапов, В.Д. Стрыгин. ФТП, 29, 24 (1995)
  5. Б.И. Сысоев, В.Д. Стрыгин, Е.И. Чурсина, Г.И. Котов. Неорг. матер., 27, 1583 (1991)
  6. ASTM Difraction Date Card File 1957. Card N 14--450, 20--437.
  7. W.E. Spicer, I. Lindau, P.R. Sheath, C.Y. Su. J. Vac. Sci. Technol., 17, 1019 (1980)
  8. H. Shigekawa, H. Oigawa, K. Miyake. Appl. Phys. Lett., 65, 607 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.