Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Сульфидная пассивация силовых GaAs-диодов
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 29 сентября 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.
Исследована возможность уменьшения токов утечки силовых GaAs-диодов при химической обработке их поверхности в растворах (NH4)2S в изопропаноле. Установлено, что после химической обработки поверхности величина тока утечки уменьшается как с увеличением времени обработки в растворе (в 8 раз), так и с увеличением времени нахождения диода при приложенном обратном напряжении Uz=400 В (в 2.5 раза).
- M.S. Carpenter, M.R. Melloch, M.S. Lundstrom, S.P. Tobin. Appl. Phys. Lett., 52 (25), 2157 (1988)
- G. Beister, J. Maege, D. Gutsche, G. Erbert, J. Sebastian, K. Vogel, M. Weyers, J. Wurfl, O.P. Daga. Appl. Phys. Lett., 68 (18), 2467 (1996)
- V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, M.V. Lebedev. Mater. Sci.\&Engin. B, 44, 376 (1997)
- V.N. Bessolov, M.V. Lebedev, B.V. Tsarenkov, Yu.M. Shernyakov. Mater. Sci.\&Engin. B, 44, 380 (1997)
- В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова, М.В. Лебедев. ФТТ, 39, 63 (1997)
- В.Н. Бессолов, А.Ф. Иванков, Е.В. Коненкова, М.В. Лебедев, В.С. Стрыканов. ФТП, 30, 364 (1996)
- V.L. Berkovits, A.O. Gusev, V.M. Lantratov, T.V. L'vova, D. Paget, A.B. Pushnyi, V.P. Ulin. Phys. Low-Dim. Structur., 12, 293 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
