"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Сульфидная пассивация силовых GaAs-диодов
Ботнарюк В.М.1, Жиляев Ю.В.1, Коненкова Е.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 сентября 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.

Исследована возможность уменьшения токов утечки силовых GaAs-диодов при химической обработке их поверхности в растворах (NH4)2S в изопропаноле. Установлено, что после химической обработки поверхности величина тока утечки уменьшается как с увеличением времени обработки в растворе (в 8 раз), так и с увеличением времени нахождения диода при приложенном обратном напряжении Uz=400 В (в 2.5 раза).
  1. M.S. Carpenter, M.R. Melloch, M.S. Lundstrom, S.P. Tobin. Appl. Phys. Lett., 52 (25), 2157 (1988)
  2. G. Beister, J. Maege, D. Gutsche, G. Erbert, J. Sebastian, K. Vogel, M. Weyers, J. Wurfl, O.P. Daga. Appl. Phys. Lett., 68 (18), 2467 (1996)
  3. V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, M.V. Lebedev. Mater. Sci.\&Engin. B, 44, 376 (1997)
  4. V.N. Bessolov, M.V. Lebedev, B.V. Tsarenkov, Yu.M. Shernyakov. Mater. Sci.\&Engin. B, 44, 380 (1997)
  5. В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова, М.В. Лебедев. ФТТ, 39, 63 (1997)
  6. В.Н. Бессолов, А.Ф. Иванков, Е.В. Коненкова, М.В. Лебедев, В.С. Стрыканов. ФТП, 30, 364 (1996)
  7. V.L. Berkovits, A.O. Gusev, V.M. Lantratov, T.V. L'vova, D. Paget, A.B. Pushnyi, V.P. Ulin. Phys. Low-Dim. Structur., 12, 293 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.