"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электронные состояния в приповерхностной области арсенида галлия, обработанной в парах селена с мышьяком
Безрядин Н.Н.1, Домашевская Э.П.1, Арсентьев И.Н.2, Котов Г.И.1, Кузьменко Р.В.1, Сумец М.П.1
1Воронежская государственная технологическая академия, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 октября 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.

Методами изотермической сканирующей спектроскопии глубоких уровней исследованы параметры центров локализации заряда в приповерхностной области арсенида галлия, обработанной в парах селена с мышьяком. Установлено, что добавление в паровую фазу мышьяка замедляет скорость реакции гетеровалентного замещения мышьяка на селен в GaAs и уменьшает концентрацию центров в приповерхностной области GaAs.
  1. P. Victorovich. Rev. Phys. Appl., 9, 895 (1990)
  2. Б.И. Бедный, Н.В. Байдусь. ФТП, 29, 1488 (1995)
  3. Б.И. Сысоев, Н.Н. Безрядин, Г.И. Котов, В.Д. Стрыгин. ФТП, 27, 131 (1993)
  4. Б.И. Сысоев, Н.Н. Безрядин, Г.И. Котов, Б.Л. Агапов, В.Д. Стрыгин. ФТП, 29, 24 (1995)
  5. Б.И. Сысоев, Б.Л. Агапов, Н.Н. Безрядин, Т.В. Прокопова, Ю.К. Шлык. Неорг. матер., 12, 1449 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.