Электронные состояния в приповерхностной области арсенида галлия, обработанной в парах селена с мышьяком
Безрядин Н.Н.1, Домашевская Э.П.1, Арсентьев И.Н.2, Котов Г.И.1, Кузьменко Р.В.1, Сумец М.П.1
1Воронежская государственная технологическая академия, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 октября 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.
Методами изотермической сканирующей спектроскопии глубоких уровней исследованы параметры центров локализации заряда в приповерхностной области арсенида галлия, обработанной в парах селена с мышьяком. Установлено, что добавление в паровую фазу мышьяка замедляет скорость реакции гетеровалентного замещения мышьяка на селен в GaAs и уменьшает концентрацию центров в приповерхностной области GaAs.
- P. Victorovich. Rev. Phys. Appl., 9, 895 (1990)
- Б.И. Бедный, Н.В. Байдусь. ФТП, 29, 1488 (1995)
- Б.И. Сысоев, Н.Н. Безрядин, Г.И. Котов, В.Д. Стрыгин. ФТП, 27, 131 (1993)
- Б.И. Сысоев, Н.Н. Безрядин, Г.И. Котов, Б.Л. Агапов, В.Д. Стрыгин. ФТП, 29, 24 (1995)
- Б.И. Сысоев, Б.Л. Агапов, Н.Н. Безрядин, Т.В. Прокопова, Ю.К. Шлык. Неорг. матер., 12, 1449 (1996)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
