"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Рекомбинационная спектроскопия глубоких уровней в GaP-светодиодах
Булярский С.В.1, Воробьев М.О.1, Грушко Н.С.1, Лакалин А.В.1
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
Поступила в редакцию: 22 сентября 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.

На примере промышленных GaP-светодиодов сопоставляются параметры глубоких уровней, полученные на основе анализа дифференциальных коэффициентов вольт-амперных характеристик при прямом смещении. Показана их пригодность для диагностики глубоких центров. Предлагаемые измерения можно проводить на полупроводниковых пластинах в условиях производства без герметизации и разделения на отдельные кристаллы.
  1. S.T. Sah, R.N. Noyce, W. Shockley. Proc. IRE, 14, 1228 (1957)
  2. С.В. Булярский, Н.С. Грушко. Физические принципы функциональной диагностики p-n-переходов с дефектами (Кишинев, Штиинца, 1992)
  3. С.В. Булярский, Н.С. Грушко. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах (М., МГУ, 1995)
  4. С.В. Булярский, Н.С. Грушко, А.В. Лакалин. Завод. лаб., N 7, 25 (1997)
  5. С.В. Булярский, Н.С. Грушко, А.В. Лакалин. Тез. Межд. конф. "Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах" (Ульяновск, 1997) с. 65
  6. С.В. Булярский, Н.С. Грушко, А.И. Сомов, А.В. Лакалин. ФТП, 31, 1148 (1997)
  7. С.В. Булярский, С.И. Радауцан. ФТП, 15, 1443 (1981)
  8. С.В. Булярский, И.В. Стратан, Н.С. Грушко. ФТП, 21, 1730 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.