Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Рекомбинационная спектроскопия глубоких уровней в GaP-светодиодах
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия 
Поступила в редакцию: 22 сентября 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.
На примере промышленных GaP-светодиодов сопоставляются параметры глубоких уровней, полученные на основе анализа дифференциальных коэффициентов вольт-амперных характеристик при прямом смещении. Показана их пригодность для диагностики глубоких центров. Предлагаемые измерения можно проводить на полупроводниковых пластинах в условиях производства без герметизации и разделения на отдельные кристаллы.
- S.T. Sah, R.N. Noyce, W. Shockley. Proc. IRE, 14, 1228 (1957)
- С.В. Булярский, Н.С. Грушко. Физические принципы функциональной диагностики p-n-переходов с дефектами (Кишинев, Штиинца, 1992)
- С.В. Булярский, Н.С. Грушко. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах (М., МГУ, 1995)
- С.В. Булярский, Н.С. Грушко, А.В. Лакалин. Завод. лаб., N 7, 25 (1997)
- С.В. Булярский, Н.С. Грушко, А.В. Лакалин. Тез. Межд. конф. "Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах" (Ульяновск, 1997) с. 65
- С.В. Булярский, Н.С. Грушко, А.И. Сомов, А.В. Лакалин. ФТП, 31, 1148 (1997)
- С.В. Булярский, С.И. Радауцан. ФТП, 15, 1443 (1981)
- С.В. Булярский, И.В. Стратан, Н.С. Грушко. ФТП, 21, 1730 (1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
