"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние температуры на спектральный состав пробойной электролюминесценции p-n-структур на основе карбида кремния
Белоус М.В.1, Генкин А.М.1, Генкина В.К.1
1Национальный технический университет Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 14 мая 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.

Исследована спектральная зависимость температурного коэффициента квантового выхода пробойной электролюминесценции сплавных p-n-структур на основе карбида кремния. Обнаружено подобие формы спектральных распределений температурного коэффициента и относительной крутизны спектра. Наблюдались характерные особенности этих кривых, зависящие от кристаллической модификации исходного материала и величины рабочего напряжения структур.
  1. Ю.М. Алтайский, А.М. Генкин. ЖТФ, 52, 543 (1982)
  2. Ю.М. Алтайский, А.М. Генкин, В.К. Генкина, Л.Г. Огнева. Электрон. техн., сер. 2, вып. 4 (190), 76 (1987)
  3. М.В. Белоус, А.М. Генкин, В.К. Генкина, О.А. Гусева. ФТП, 31, 213 (1997)
  4. А.О. Константинов. ФТП, 17, 2124 (1983)
  5. W. Hacker. Phys. St. Sol. (a), 25, 301 (1974)
  6. W.J. Choyke. Карбид кремния (М., Мир, 1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.