"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Коэффициент усиления и внутренние потери в лазерах на основе двойных гетероструктур InGaAsSb/InAsSbP
Айдаралиев М.1, Зотова Н.В.1, Карандашев С.А.1, Матвеев Б.А.1, Ременный М.А.1, Стусь Н.М.1, Талалакин Г.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 октября 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.

Исследованы внутренние потери и усиление в лазерах, излучающих в спектральной области 3/ 4 мкм, на основе ДГС InGaAsSb/InAsSbP. Из токовых зависимостей интенсивности спонтанного излучения за порогом генерации и дифференциальной квантовой эффективности определен коэффициент внутризонного поглощения k0~ 5.6· 10-16 см2. Из зависимости плотности порогового тока от обратной длины резонатора определены внутренние потери в отсутствие инжекции alpha0~ 5 см-1. Проведен расчет внутренних потерь на пороге генерации, показавший их увеличение более чем в 4 раза при уменьшении длины резонатора от 500 до 100 мкм. Приведены температурные зависимости дифференциальной квантовой эффективности, которые объяснены наличием внутризонного поглощения дырками с их переходом в спин-орбитально отщепленную зону. Показано, что в лазерах с короткими резонаторами максимальная рабочая температура определяется не оже-рекомбинацией, а внутризонным поглощением. Получены спектры усиления, которым соответствует практически линейная зависимость внутренних потерь от тока, а также токовая зависимость разделения квазиуровней Ферми, показавшая отсутствие насыщения напряжения на p-n-переходе за порогом генерации.
  1. R.U. Martinelli. Laser Focus World, 77 (1996)
  2. C.H.L. Goodman. Sol. St. Electron. Dev., 12(5), 129 (1978)
  3. Н.А. Гунько, Г.Г. Зегря, Н.В. Зотова, З.Н. Соколова, Н.М. Стусь, В.Б. Халфин. ФТП, 31, 1396 (1997)
  4. W.W. Bewley, C.L. Felix, I. Vurgaftman, J.R. Meyer, C.-H. Lin, S.J. Murry, D. Zhang, S.S. Pei, L.R. Ram-Moham. J. Appl. Phys., 83(5). 2384 (1998)
  5. М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. Письма ЖТФ, 24(12), 40 (1998)
  6. М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 33(2), 233 (1999)
  7. C.H. Henry, R.A. Logan, F.R. Merritt. J. Appl. Phys., 51(6), 3042 (1980)
  8. В.П. Грибковский. Полупроводниковые лазеры (Минск, Изд-во Минск. ун-та, 1988)
  9. B.W. Hakki, T.L. Paoli. J. Appl. Phys., 44(9), 4113 (1973)
  10. М. Айдаралиев. Автореф. канд. дис. (Л., ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 1991)
  11. J. Dixon, J. Ellis. Phys. Rev., 123, 1560 (1961)
  12. I. Joindot, J.L. Beylat. Electron. Lett., 29(7), 604 (1993)
  13. Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981) т. 1
  14. Т.С. Аргунова, Р.Н. Кютт, Б.А. Матвеев, С.С. Рувимов, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТТ, 36, 3071 (1994)
  15. А.А. Попов, В.А. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 32, 1139 (1998)
  16. B.W. Hakki, T.L. Paoli. J. Appl. Phys., 46, 1299 (1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.