"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Памяти Мастерова Вадима Федоровича
Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.

[!t] 28 января 1999 года на 58 году жизни скоропостижно скончался выдающийся ученый в области физики твердого тела, заведующий кафедрой "Экспериментальная физика" Санкт-Петербургского государственного технического университета (СПбГТУ), доктор физико-математических наук, профессор Вадим Федорович Мастеров. Вадим Федорович родился 17 декабря 1941 года в городе Архангельске. В 1959 году после окончания средней школы он поступил в Ленинградский политехнический институт (ЛПИ). С тех пор вся его жизнь неразрывно была связана с ЛПИ, впоследствии преобразованным в СПбГТУ. Здесь сначала он учился на механико-машиностроительном факультете, а затем из-за большого интереса к физике перевелся на физико-механический факультет. После окончания института в ноябре 1964 года по специальности "Металлофизика и металловедение" он был принят на работу на кафедру "Экспериментальная физика" физико-механического факультета ЛПИ, где последовательно занимал должности младшего научного сотрудника (1965--1966), старшего инженера (1966--1975), старшего научного сотрудника и заместителя заведующего кафедрой по научной работе (1975--1982), профессора (1982--1991). С 1991 года В.Ф. Мастеров --- профессор, заведующий кафедрой. В 1971 году он защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата, а в 1979 году стал доктором физико-математических наук. Область научных интересов В.Ф. Мастерова --- физика твердого тела (физика полупроводников, высокотемпературная сверхпроводимость, физика фуллеренов). По этим направлениям им опубликовано более двухсот оригинальных научных статей в отечественных и зарубежных изданиях, две монографии и пять обзоров в журналах " Физика и техника полупроводников" и " Физика твердого тела". Его экспериментальные и теоретические работы по электронной структуре глубоких многоэлектронных центров в полупроводниках получили международное признание, результаты этих работ вошли в монографии и обзоры как отечественных, так и зарубежных авторов. В 1980 году В.Ф. Мастеровым с сотрудниками впервые в мире была зарегистрирована фотолюминесценция, а в 1982 году электролюминесценция на внутрицентровых переходах в полупроводниках AIIIBV, легированных редкоземельными элементами. В эти же годы методом электронного парамагнитного резонанса была исследована структура ряда примесных центров, создаваемых редкоземельными элементами в фосфиде индия. Его работы по исследованию электронной структуры примесей элементов переходной группы железа и редких земель в полупроводниках стали классическими. В этих работах, в частности, была показана перспективность использования полупроводников, легированных редкоземельными элементами, для создания когерентных и некогерентных источников инфракрасного излучения. В настоящее время работы в этом направлении получили развитие в научных центрах многих стран, опубликованы два сборника докладов "Rare-Earth Doped Semiconductors" (по материалам одноименных симпозиумов, проводимых в рамках MRS Meetings, США, 1993 и 1996 гг.), где также представлены работы В.Ф. Мастерова. В 1993 году им было предложено и обосновано использование низкоразмерных полупроводниковых структур для повышения эффективности f-f-излучения. В 1996 году им (совместно с Г.Г. Зегря) теоретически показана возможность создания лазера на длину волны 1.54 мкм на основе легированной эрбием гетероструктуры InP / InGaAsP / InP с двумя типами квантовых ям. С 1987 года В.Ф. Мастеров активно включился в исследование высокотемпературной сверхпроводимости сложных металлоксидов меди, а с 1992 года --- сверхпроводимости металлофуллеренов. Он одним из первых предложил рассматривать высокотемпературные сверхпроводники как множественную джозефсоновскую среду. В лаборатории В.Ф. Мастерова, одновременно с другими научными группами у нас в стране и за рубежом и независимо от них, было обнаружено явление микроволнового поглощения в сверхпроводниках, содержащих внутренние джозефсоновские переходы. Совместно с А.Г. Ароновым им был предложен и реализован оригинальный метод исследования нарушения симметрии обращения времени в высокотемпературных сверхпроводниках. В.Ф. Мастеровым с сотрудниками был развит новый метод исследования пространственного распределения плотности заряда в сложных металлоксидах меди на основе эмиссионной мессбауэровской спектроскопии. Наиболее интересным результатом в направлении физики фуллеренов следует считать открытие высокотемпературной сверхпроводящей фазы в металлофуллерене на основе меди с рекордным для фуллеридов значением температуры сверхпроводящего перехода 120 K. По инициативе В.Ф. Мастерова на кафедре "Экспериментальная физика" создана лаборатория электронной спектроскопии (под руководством профессора Ю.А. Мамаева), в которой разработаны и изготовлены уникальные высоковакуумные экспериментальные установки для исследования твердых тел методом поляризационной спектроскопии медленных электронов. Под руководством В.Ф. Мастерова в его научной лаборатории была организована теоретическая группа, в которой продолжают работать такие известные физики --- теоретики, профессора кафедры, как В.К. Иванов, В.Г. Карпов, Д.А. Паршин, А.В. Субашиев, В.А. Харченко. Научная деятельность В.Ф. Мастерова была неразрывно связана с ведущими научными центрами России и ряда зарубежных стран. Он проводил научные исследования совместно с сотрудниками Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН, Государственного оптического института им. С.И. Вавилова, Петербургского института ядерной физики РАН, Института химии силикатов РАН, Научно-исследовательского института "Домен", а также с учеными США, Германии, Голандии, Италии. С 1994 года В.Ф. Мастеров был консультантом университета Аризоны (Tucson, USA), в 1995--1996 гг. имел контракт с European Office of Aerospace Reseach and Development (London, UK), принимал участие в работах по гранту ИНТАС-РФФИ, выполняемых совместно учеными Физико-технического института РАН, Физическо- го института РАН, СПбГТУ, Миланского университета (Италия) и университета Амстердама (Голландия). В.Ф. Мастеров состоял членом оргкомитетов и программных комитетов ряда международных и национальных конференций и семинаров. Он был членом редколлегии журнала " Физика и техника полупроводников", членом научного совета по направлению "Фуллерены и атомные кластеры", государственной программы "Актуальные проблемы физики конденсированного вещества", ученого и научно-технического советов СПбГТУ, членом Material Research Society (США) и Int. Society of Researchers of ESR in Semiconductors (Голландия). В.Ф. Мастеров принимал активное участие в научно-методической работе СПбГТУ. Он --- автор 32 научно- и учебно-методических работ, в том числе 6 учебных пособий. По инициативе Вадима Федоровича, при поддержке ректората, под его руководством и непосредственном активном участии в конце 70-х годов была модернизирована учебная физическая лаборатория. Учебный практикум по физике в ЛПИ стал одним из лучших в стране, за что был удостоен диплома I степени на ВДНХ СССР в 1979 году. Совместно с И.П. Ипатовой В.Ф. Мастеровым была разработана новая программа курса общей физики и подготовлен к печати учебник по этому курсу. В 1992--1997 годах В.Ф. Мастеров был членом научно-методического совета по физике при МинВУЗ'е и входил в научно-методический совет СПбГТУ. В 1994 году по его инициативе на кафедре "Экспериментальная физика" была открыта подготовка бакалавров и магистров по специальности "физика" (направление --- физика конденсированного состояния вещества), разработан план и подготовлен ряд специальных курсов для студентов данной специальности. В.Ф. Мастеров выполнял большую работу по подготовке высококвалифицированных научных кадров. Непосредственно под его научным руководством было защищено 16 кандидатских диссертаций и при его поддержке --- 4 докторских. Светлая память о Вадиме Федоровиче Мастерове, посвятившем всего себя науке и образованию, навсегда сохранится в сердцах его многочисленных учеников, друзей и коллег. [!h] = @-110ptp150mm@ Ж.И. Алферов, Ю.С. Васильев, А.Г. Забродский, Б.П. Захарченя,-5pt И.П. Ипатова, Ф.П. Кесаманлы, В.В. Козловский, В.Н. Колгатин В.И. Перель, В.В. Емцев, C.A.J. Ammerlaan, S. Pizzini Редколлегия журнала Физика и техника полупроводников
  1. R.U. Martinelli. Laser Focus World, 77 (1996)
  2. C.H.L. Goodman. Sol. St. Electron. Dev., 12(5), 129 (1978)
  3. Н.А. Гунько, Г.Г. Зегря, Н.В. Зотова, З.Н. Соколова, Н.М. Стусь, В.Б. Халфин. ФТП, 31, 1396 (1997)
  4. W.W. Bewley, C.L. Felix, I. Vurgaftman, J.R. Meyer, C.-H. Lin, S.J. Murry, D. Zhang, S.S. Pei, L.R. Ram-Moham. J. Appl. Phys., 83(5). 2384 (1998)
  5. М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. Письма ЖТФ, 24(12), 40 (1998)
  6. М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 33(2), 233 (1999)
  7. C.H. Henry, R.A. Logan, F.R. Merritt. J. Appl. Phys., 51(6), 3042 (1980)
  8. В.П. Грибковский. Полупроводниковые лазеры (Минск, Изд-во Минск. ун-та, 1988)
  9. B.W. Hakki, T.L. Paoli. J. Appl. Phys., 44(9), 4113 (1973)
  10. М. Айдаралиев. Автореф. канд. дис. (Л., ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 1991)
  11. J. Dixon, J. Ellis. Phys. Rev., 123, 1560 (1961)
  12. I. Joindot, J.L. Beylat. Electron. Lett., 29(7), 604 (1993)
  13. Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981) т. 1
  14. Т.С. Аргунова, Р.Н. Кютт, Б.А. Матвеев, С.С. Рувимов, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТТ, 36, 3071 (1994)
  15. А.А. Попов, В.А. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 32, 1139 (1998)
  16. B.W. Hakki, T.L. Paoli. J. Appl. Phys., 46, 1299 (1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.