Импульсный пробой диодов Шоттки на основе 4H-SiC с охранным p-n-переходом, изготовленным имплантацией бора
Иванов П.А.1, Грехов И.В.1, Потапов А.С.1, Самсонова Т.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 ноября 2007 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2008 г.
Измерены импульсные обратные вольт-амперные характеристики (на участке пробоя) для 4H-SiC-диодов Шоттки на 1 кВ с охранным p-n-переходом, изготовленным имплантацией бора. Показано, что динамическое напряжение пробоя диодов увеличивается при уменьшении длительности импульсов. Благодаря однородному лавинообразованию на крае охранного p-n-перехода и большому дифференциальному сопротивлению на участке пробоя диоды выдерживают без деградации импульсное обратное напряжение, значительно превышающее порог статического пробоя. Особенности импульсного пробоя рассматриваются в связи со специфическими свойствами имплантированного бором планарного охранного p-n-перехода. PACS: 73.30.+y, 73.40.Cg, 73.40.Lq, 85.30.Kk
- A. Itoh, T. Kimoto, H. Matsunami. IEEE Electron. Dev. Lett., 17 (3), 139 (1996)
- O. Tekemura, T. Kimoto, H. Matsunami, T. Nakata, M. Watanabe, M. Inoue. Mater. Sci. Forum, 264--268, 701 (1998)
- S. Ortolland, M.L. Locatelli, D. Planson, J.P. Chante, A. Senes. Mater. Sci. Forum, 264--268, 1045 (1998)
- K.V. Vassilevski, A.B. Horsfall, C.M. Johnson, N.G. Wright. Mater. Sci. Forum, 457--460, 989 (2004)
- И.В. Грехов, П.А. Иванов, Н.Д. Ильинская, О.И. Коньков, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова. ФТП, 42 (2), 211 (2008)
- G. Pensil, F. Ciobanu, T. Frank. Int. J. High Speed Electron. Syst., 15 (4), 705 (2005)
- D.P. Kennedy, R.R. O'Brien. IBM J., 10 213 (1966)
- D.C. Sheridan, G. Niu, J.D. Cressler. Sol. St. Electron., 45, 1659 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
