Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Импульсный пробой диодов Шоттки на основе 4H-SiC с охранным p-n-переходом, изготовленным имплантацией бора

Иванов П.А.¹, Грехов И.В.¹, Потапов А.С.¹, Самсонова Т.П.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 12 ноября 2007 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Измерены импульсные обратные вольт-амперные характеристики (на участке пробоя) для 4H-SiC-диодов Шоттки на 1 кВ с охранным p-n-переходом, изготовленным имплантацией бора. Показано, что динамическое напряжение пробоя диодов увеличивается при уменьшении длительности импульсов. Благодаря однородному лавинообразованию на крае охранного p-n-перехода и большому дифференциальному сопротивлению на участке пробоя диоды выдерживают без деградации импульсное обратное напряжение, значительно превышающее порог статического пробоя. Особенности импульсного пробоя рассматриваются в связи со специфическими свойствами имплантированного бором планарного охранного p-n-перехода. PACS: 73.30.+y, 73.40.Cg, 73.40.Lq, 85.30.Kk

A. Itoh, T. Kimoto, H. Matsunami. IEEE Electron. Dev. Lett., 17 (3), 139 (1996)
O. Tekemura, T. Kimoto, H. Matsunami, T. Nakata, M. Watanabe, M. Inoue. Mater. Sci. Forum, 264--268, 701 (1998)
S. Ortolland, M.L. Locatelli, D. Planson, J.P. Chante, A. Senes. Mater. Sci. Forum, 264--268, 1045 (1998)
K.V. Vassilevski, A.B. Horsfall, C.M. Johnson, N.G. Wright. Mater. Sci. Forum, 457--460, 989 (2004)
И.В. Грехов, П.А. Иванов, Н.Д. Ильинская, О.И. Коньков, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова. ФТП, 42 (2), 211 (2008)
G. Pensil, F. Ciobanu, T. Frank. Int. J. High Speed Electron. Syst., 15 (4), 705 (2005)
D.P. Kennedy, R.R. O'Brien. IBM J., 10 213 (1966)
D.C. Sheridan, G. Niu, J.D. Cressler. Sol. St. Electron., 45, 1659 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель