Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптическое ограничение в лазерных диодах на основе нитридов III группы. II. Анализ гетероструктур на различных подложках

Слободян Т.Е.¹, Булашевич К.А.^1,2, Карпов С.Ю.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²OOO "Софт-Импакт", Санкт-Петербург, Россия Soft-Impact Ltd, Saint-Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 12 ноября 2007 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2008 г.

PDF версия

С помощью численного моделирования в работе проведен систематический анализ волноводных свойств лазерных гетероструктур на основе нитридов III группы, изготовленных на подложках из различных материалов (сапфира, карбида кремния и нитрида галлия), учитывающий двулучепреломление как в самой нитридной структуре, так и в подложке. Рассмотрены особенности оптического ограничения света в типичных лазерных структурах, влияние на него материала подложки и металлических контактов, сформированных поверх слоев p-типа. Сделаны оценки коэффициентов оптических потерь волноводных мод на свободных носителях и на утекание в подложку, на основе которых определена значимость различных каналов потерь. PACS: 78.66.Fd, 42.55.Px, 42.82.Et, 42.25.Lc

Т.Е. Слободян, К.А. Булашевич, С.Ю. Карпов. ФТП, 42 (7), 5447 (2008)
C. Skierbiszewski, P. Perlin, I. Grzegory, Z.R. Wasilewski, M. Siekaczl, A. Feduniewicz, P. Wisniewski, J. Borysiuk, P. Prystawko, G. Kamler, T. Suski, S. Porowski. Semicond. Sci. Technol., 20, 809 (2005)
W.W. Chow, H. Amano, T. Takeuchi, J. Han. Appl. Phys. Lett., 75, 244 (1999)
http://www.semitech.us/products/SiLENSe/
С.Ю. Карпов, В.И. Кучинский, Е.Л. Портной. Письма ЖТФ, 6, 361 (1980)
Ф.И. Федоров. Оптика анизотропных сред (М., Едиториал УРСС, 2004) гл. 4
S. Nakamura. MRS J. Nitride Semicond. Res., 2, 5 (1997)
J. Piprek, R.K. Sink, M.A. Hansen, J.E. Bowers, S.P. DenBaars. In: Physics and Simulation of Optoelectronic Devices VIII, eds R. Binger, P. Blood, M. Osinski. SPIE Proc., 3944--03, 28 (2000)
M. Kneissl, D.W. Treat, M. Teepe, N. Miyashita, N.M. Johnson. Appl. Phys. Lett., 82, 2386 (2003)
M. Rowe, P. Michler, J. Gutowski, S. Barder, G. Bruderl, V. Kummler, A. Weimar, A. Lell, V. Harle. Phys. Status Solidi A, 188, 65 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель