Вышедшие номера
Оптическое ограничение в лазерных диодах на основе нитридов III группы. II. Анализ гетероструктур на различных подложках
Слободян Т.Е.1, Булашевич К.А.1,2, Карпов С.Ю.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2OOO "Софт-Импакт", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 ноября 2007 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2008 г.

С помощью численного моделирования в работе проведен систематический анализ волноводных свойств лазерных гетероструктур на основе нитридов III группы, изготовленных на подложках из различных материалов (сапфира, карбида кремния и нитрида галлия), учитывающий двулучепреломление как в самой нитридной структуре, так и в подложке. Рассмотрены особенности оптического ограничения света в типичных лазерных структурах, влияние на него материала подложки и металлических контактов, сформированных поверх слоев p-типа. Сделаны оценки коэффициентов оптических потерь волноводных мод на свободных носителях и на утекание в подложку, на основе которых определена значимость различных каналов потерь. PACS: 78.66.Fd, 42.55.Px, 42.82.Et, 42.25.Lc