"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптическое ограничение в лазерных диодах на основе нитридов III группы. I. Теория, оптические свойства материалов
Слободян Т.Е.1, Булашевич К.А.1,2, Карпов С.Ю.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ООО Софт-Импакт, а/я 83, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 ноября 2007 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2008 г.

В первой части работы приведены скалярные волновые уравнения для направляемых TE- и TM-мод в лазерных гетероструктурах на основе нитридов III группы, учитывающие анизотропию их оптических свойств. Проведен анализ имеющихся экспериментальных данных по оптическим свойствам многокомпонентных нитридов, а также сапфира и карбида кремния, обычно используемых в качестве подложек для выращивания нитридных гетероструктур. На основе данного анализа предложены аппроксимации спектральных зависимостей диэлектрических проницаемостей обыкновенных и необыкновенных волн для этих материалов. PACS: 78.66.Fd, 42.55.Px, 42.82.Et, 42.25.Lc
  1. В.Е. Бугров, А.С. Зубрилов. ФТП, 31, 63 (1997)
  2. V.E. Bougrov, A.S. Zubrilov. J. Appl. Phys., 81, 2952 (1997)
  3. J. Piprek, R.K. Sink, M.A. Hansen, J.E. Bowers, S.P. DenBaars. В сб.: Physics and Simulation of Optoelectronic Devices VIII, ed. by R. Binger, P. Blood, M. Osinski. SPIE. Proc., 3944--03, 28 (2000)
  4. M. Rowe, P. Michler, J. Gutowski, S. Barder, G. Bruderl, V. Kummler, A. Weimar, A. Lell, V. Harle. Phys. Status Solidi A, 188, 65 (2001)
  5. М. Борн, Э. Вольф. Основы оптики (М., Наука, 1970) гл. 1
  6. Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973) гл. 3
  7. N.A. Sanford, L.H. Robins, A.V. Davydov, A. Shapiro, D.V. Tsvetkov, A.V. Dmitriev, S. Keller, U.K. Mishra, S.P. DenBaars. J. Appl. Phys., 94, 2980 (2003)
  8. M.J. Bergmann, U. Ozgur, H.C. Casey, jr., H.O. Everitt, J.F. Muth. Appl. Phys. Lett., 75, 67 (1999)
  9. U. Ozgur, G. Webb--Wood, H.O. Everitt, F. Yun, H. Morko c. Appl. Phys. Lett., 79, 4103 (2001)
  10. А.Н. Пихтин, А.Д. Яськов. ФТП, 22, 969 (1978)
  11. A. Vozhny. PhD thesis, Chernivtsi, Ukraine (2004)
  12. T. Whetkamp, K. Wilmers, N. Esser, W. Richter, O. Ambacher, H. Angerer, G. Jungk, R.L. Johnson, M. Cardona. Thin. Sol. Films, 313/314, 745 (1998)
  13. N.A. Sanford, A. Munkholm, M.R. Krames, A.V. Davydov, A. Shapiro, I. Levin, S. Sayan, L.S. Wielunski, T.E. Madey. Phys. Status Solidi C, 2, 2783 (2005)
  14. http:/www.crystran.co.uk
  15. Yu. Goldberg, M. Levinstein, S. Rumyantsev. В сб.: Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe, ed. by M.E. Levinstein, S.L. Rymyantsev and M.S. Shur (N.Y.--Chichester--Weiheim--Toronto--Singapore, John Wiley \& Sons, Inc., 2001) ch. 5

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.