Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Оптическое ограничение в лазерных диодах на основе нитридов III группы. I. Теория, оптические свойства материалов
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2OOO "Софт-Импакт", Санкт-Петербург, Россия
2OOO "Софт-Импакт", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 ноября 2007 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2008 г.
В первой части работы приведены скалярные волновые уравнения для направляемых TE- и TM-мод в лазерных гетероструктурах на основе нитридов III группы, учитывающие анизотропию их оптических свойств. Проведен анализ имеющихся экспериментальных данных по оптическим свойствам многокомпонентных нитридов, а также сапфира и карбида кремния, обычно используемых в качестве подложек для выращивания нитридных гетероструктур. На основе данного анализа предложены аппроксимации спектральных зависимостей диэлектрических проницаемостей обыкновенных и необыкновенных волн для этих материалов. PACS: 78.66.Fd, 42.55.Px, 42.82.Et, 42.25.Lc
- В.Е. Бугров, А.С. Зубрилов. ФТП, 31, 63 (1997)
- V.E. Bougrov, A.S. Zubrilov. J. Appl. Phys., 81, 2952 (1997)
- J. Piprek, R.K. Sink, M.A. Hansen, J.E. Bowers, S.P. DenBaars. В сб.: Physics and Simulation of Optoelectronic Devices VIII, ed. by R. Binger, P. Blood, M. Osinski. SPIE. Proc., 3944--03, 28 (2000)
- M. Rowe, P. Michler, J. Gutowski, S. Barder, G. Bruderl, V. Kummler, A. Weimar, A. Lell, V. Harle. Phys. Status Solidi A, 188, 65 (2001)
- М. Борн, Э. Вольф. Основы оптики (М., Наука, 1970) гл. 1
- Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973) гл. 3
- N.A. Sanford, L.H. Robins, A.V. Davydov, A. Shapiro, D.V. Tsvetkov, A.V. Dmitriev, S. Keller, U.K. Mishra, S.P. DenBaars. J. Appl. Phys., 94, 2980 (2003)
- M.J. Bergmann, U. Ozgur, H.C. Casey, jr., H.O. Everitt, J.F. Muth. Appl. Phys. Lett., 75, 67 (1999)
- U. Ozgur, G. Webb--Wood, H.O. Everitt, F. Yun, H. Morko c. Appl. Phys. Lett., 79, 4103 (2001)
- А.Н. Пихтин, А.Д. Яськов. ФТП, 22, 969 (1978)
- A. Vozhny. PhD thesis, Chernivtsi, Ukraine (2004)
- T. Whetkamp, K. Wilmers, N. Esser, W. Richter, O. Ambacher, H. Angerer, G. Jungk, R.L. Johnson, M. Cardona. Thin. Sol. Films, 313/314, 745 (1998)
- N.A. Sanford, A. Munkholm, M.R. Krames, A.V. Davydov, A. Shapiro, I. Levin, S. Sayan, L.S. Wielunski, T.E. Madey. Phys. Status Solidi C, 2, 2783 (2005)
- http:/www.crystran.co.uk
- Yu. Goldberg, M. Levinstein, S. Rumyantsev. В сб.: Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe, ed. by M.E. Levinstein, S.L. Rymyantsev and M.S. Shur (N.Y.--Chichester--Weiheim--Toronto--Singapore, John Wiley \& Sons, Inc., 2001) ch. 5
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
