Вышедшие номера
Мощные лазерные диоды с длиной волны излучения 835 нм на основе различных типов лазерных гетероструктур
Мурашова А.В.1, Винокуров Д.А.1, Пихтин Н.А.1, Слипченко С.О.1, Шамахов В.В.1, Васильева В.В.1, Капитонов В.А.1, Лешко А.Ю.1, Лютецкий А.В.1, Налет Т.А.1, Николаев Д.Н.1, Станкевич А.Л.1, Фетисова Н.В.1, Тарасов И.С.1, Kim Y.S.2, Kang D.H.2, Lee C.Y.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Samsung Electro-Mechanics Co., LTD, 443-743 Suwon-City, Republic of Korea
Поступила в редакцию: 19 ноября 2007 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2008 г.

Проведено сравнение оптических и электрических характеристик мощных многомодовых лазерных диодов с длиной волны излучения 835 нм, полученных на основе трех систем твердых растворов: AlGaAs/GaAs, AlGaAs/GaAsP и (Al)GaInP/GaInAsP. Выходная непрерывная оптическая мощность 5 Вт достигнута в лазерах с шириной полоска 80 мкм независимо от выбранной материальной системы. Наибольшая максимальная оптическая мощность 7 Вт достигнута в лазерах на основе системы (Al)GaInP/GaInAsP. PACS: 42.55.Px, 42.70.Hj