"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Изменение характеристик оксидных пленок гадолиния, титана и эрбия на поверхности n-6H-SiC под воздействием сверхвысокочастотной обработки
Бачериков Ю.Ю.1, Конакова Р.В.1, Миленин В.В.1, Охрименко О.Б.1, Светличный А.М.2, Поляков В.В.2
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Таганрогский государственный радиотехнический университет, Таганрог, Россия
Поступила в редакцию: 6 ноября 2007 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2008 г.

Методами оптического поглощения и фотолюминесценции исследовано влияние сверхвысокочастотного (СВЧ) воздействия на свойства пленок оксидов Ti, Gd, Er, осажденных на карбиде кремния. Проведен анализ атомарного состава исследуемых пленок в зависимости от времени сверхвысокочастотной обработки. Показано, что сверхвысокочастотное воздействие приводит к появлению дополнительной полосы в спектрах фотолюминесценции исследуемых структур. Установлено, что длительная сверхвысокочастотная обработка приводит к росту коэффициента пропусания образцов, что является свидетельством улучшения интегральных характеристик структуры. PACS: 68.35.Dv, 61.82.Fk, 78.68.+m, 81.40.Wx
  1. С.Б. Блудов, Н.П. Гадецкий, К.А. Кравцов, Ю.В. Лонин, И.И. Магда, С.И. Найстетер, Е.А. Прасол, Ю.Ф. Прокопенко, С.С. Пушкарев, Ю.В. Ткач, И.В. Харченко, В.И. Чумаков. Физика плазмы, 20 (7), 712 (1994)
  2. А.А. Беляев, А.Е. Беляев, И.Б. Ермолович, С.М. Комиренко, Р.В. Конакова, В.Г. Ляпин, В.В. Миленин, Е.А. Соловьев, М.В. Шевелев. ЖТФ, 68 (12), 49 (1998)
  3. T.G. Kryshtab, P.M. Lytvyn, M.A. Masin, I.V. Prokopenko. Metal Phys. Adv. Technol., 19 (3), 71 (1997)
  4. Д.Е. Абдурахимов, В.Л. Верещагин, В.П. Калинушкин, В.А. Никитин, М.Г. Плоппа, М.Д. Райзер. Кр. сообщ. по физике, 6, 27 (1991)
  5. О.Б. Охрименко. Петербургский журн. электроники, 1 (42), 27 (2005)
  6. М.А. Родионов, В.А. Рожков. Письма ЖТФ, 31 (3), 55 (2005)
  7. А.М. Светличный, Д.А. Сеченов, В.М. Бурштейн, Л.В. Воронцов, В.В. Поляков, С.И. Соловьев, О.А. Агеев. Электронная промышленность, 3, 6 (1991)
  8. Ю.Ю. Бачериков, Н.Л. Дмитрук, Р.В. Конакова, О.С. Кондратенко, О.С. Литвин, В.В. Миленин, О.Б. Охрименко, Л.М. Капитанчук, А.М. Светличный, В.В. Поляков, А.А. Шелкунов. ЖТФ, 77 (2), 107 (2007)
  9. Ю.Ю. Бачериков, Р.В. Конакова, А.Н. Кочеров, П.М. Литвин, О.С. Литвин, О.Б. Охрименко, А.М. Светличный. ЖТФ, 73 (5), 75 (2003)
  10. Г.К. Сафаралиев, Ю.Н. Эмиров, М.К. Курбанов, Б.А. Билалов. ФТП, 34 (8), 929 (2000)
  11. Lyle Patrick, W.J. Choyke. Phys. Rev. B., 5 (8), 3253 (1972)
  12. W.J. Choyke, Lyle Patrick. Phys. Rev. B., 4 (6), 1843 (1971)
  13. И.С. Горбань, С.Н. Рудько. ФТТ, 5 (5), 1368 (1963)
  14. В.В. Макаров. ФТТ, 13 (8), 2357 (1971)
  15. В.И. Левин, Ю.М. Таиров, В.Ю. Цветков. ФТП, 18 (7), 1194 (1984)
  16. A.O. Konstantinov, A. Herny, C.I. Harris, E. Janzen. Appl. Phys. Lett., 66 (17), 2250 (1995)
  17. В.А. Рожков, М.А. Родионов. Письма ЖТФ, 31 (2), 67 (2005)
  18. N.K. Sahoo, R.B. Tokas, S. Thakur. Appl. Surf. Sci., 253 (4), 1787 (2006)
  19. S. Thakur, N.K. Sahoo, M. Senthilkumar, R.B. Tokas. Opt. Mater., 27, 1402 (2005)
  20. Ю.К. Ковнеристый, И.Ю. Лазарева, А.А. Раваев. Материалы, поглощающие СВЧ излучение (М., Наука, 1982) с. 51
  21. Г.П. Пека, В.Ф. Коваленко, В.Н. Куценко. Люминесцентные методы контроля параметров полупроводниковых материалов и приборов (Киев, Техника, 1986) с. 131
  22. В.Е. Панин, В.Е. Егорушкин, А.В. Панин, Д.Д. Моисеенко. ЖТФ, 77 (8), 62 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.