"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Кинетика формирования различных типов водородсодержащих доноров в кремнии, имплантированном протонами
Покотило Ю.М.1, Петух А.Н.1, Дзичковский О.А.1
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
Поступила в редакцию: 13 ноября 2007 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2008 г.

Методом C-V-характеристик исследована кинетика накопления двойного и мелкого водородсодержащих доноров в эпитаксиальном кремнии, имплантированном протонами. Показано, что кинетика описывается реакциями 1-го порядка. Определены энергии активации Delta E1=2.3 эВ, Delta E2=1.4 эВ и предэкспоненциальные факторы tau01=9.1·10-17 с, tau02=4.2·10-9 с для обоих типов доноров соответственно. Показано, что бистабильность электрических свойств кремния обусловлена двойным водородсодержащим донором. PACS: 81.05.Cy, 81.40.Wx, 61.72.Ss, 61.80.Fe
  1. Б.Н. Мукашев, Х.А. Абдуллин, Ю.В. Горелкинский. УФН, 170 (2), 143 (2000)
  2. В.В. Козловский. Модифицирование полупроводников пучками протонов (СПб., Наука, 2003)
  3. Ю.М. Покотило, А.Н. Петух, В.В. Литвинов. Письма ЖТФ, 30 (22), 70 (2004)
  4. Ю.М. Покотило, А.Н. Петух, В.В. Литвинов, В.Г. Цвырко. ФТП, 39 (7), 802 (2005)
  5. Kh.A. Abdullin, Yu.V. Gorelkinskii, B.N. Mukashev, A.S. Serikanov. Phys. B: Condens. Matter, 340-342, 692 (2003)
  6. Kh.A. Abdullin, Yu.V. Gorelkinskii, S.M. Kikkarin, B.N. Mukashev, A.S. Serikanov, S.Zh. Tokmoldin. Matter. Sci. Semicond., 7, 447 (2004)
  7. S.Zh. Tokmoldin, B.N. Mukashev, Kh.A. Abdullin, Yu.V. Gorelkinskii, B. Pajot. Mater. Sci. Engin., B71, 263 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.