Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Инфракрасные спектры отражения многослойных эпитаксиальных гетероструктур с погруженными слоями InAs и GaAs

Середин П.В.¹, Домашевская Э.П.¹, Лукин А.Н.¹, Арсентьев И.Н.², Винокуров Д.А.², Тарасов И.С.²

¹Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия Voronezh State University, Voronezh, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 29 ноября 2007 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние толщины погруженных InAs- и GaAs-слоев на инфракрасные спектры отражения колебаний решетки в многослойных эпитаксиальных гетероструктурах AlInAs/InAs/AlInAs, InGaAs/GaAs/InGaAs, AlInAs/InGaAs/GaAs/InGaAs/AlInAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках InP(100). Оценены относительные напряжения, возникающие в слоях, окружающах погруженные, при изменении числа монослоев, из которых формируются квантовые точки, а также при изменении толщины самих слоев, окружающих погруженные. PACS: 78.30.Fs, 78.67.Pt, 63.22.+m

A. Madhukar et al. Appl. Phys. Lett., 64, 2727 (1994)
F. Hatami et al. Appl. Phys. Lett., 67, 656 (1995)
Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, Д.Н. Николаев и др. ФТП, 35 (2), 242 (2001)
E.P. Domashevskaya, P.V. Seredin et al. Surf. Interf. Analysis, 38, 4 (2006)
Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
W.G. Spitzer, D. Kleiman, D. Walsh. Phys. Rev., 113, 1 (1959)
H.W. Verleur. JOSA, 58, 1356 (1968)
С.П. Козырев. ФТП, 36 (10), 3008 (1994)
W.A. Harrison. Electronic Structure and the Properties of Solids, ed. by W.H. Freeman (San Francisco, 1980)
Yu.A. Goldberg. In: Handbook Series on Semiconductor Parameters, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur (World Scientific, London, 1999) v. 2, p. 1
Характеристики новых полупроводниковых материалов. http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/AlGaAs/basic.html
U. Pusep et al. Письма ЖЭТФ, 52, 9 (1991).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель