Вышедшие номера
Адсорбция метилтиола на поверхности GaAs(100)-(2x4): квантово-химический анализ из первых принципов
Лебедев М.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 августа 2007 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2008 г.

Квантово-химические кластерные расчеты в рамках теории функционала плотности использованы для исследования механизма адсорбции молекулы метилтиола CH3SH на димер As-As, находящийся на поверхности GaAs(100). Показано, что адсорбция молекулы может происходить путем диссоциации либо связи S-H, либо связи C-S. Наименьшую энергию имеет состояние диссоциативной адсорбции с разрывом связи C-S и образованием молекулы метана и адатома серы, внедренного между поверхностными атомами мышьяка, составляющими димер. Несколько большую энергию имеет состояние диссоциативной адсорбции с разрывом связи S-H, в котором радикал CH3S- адсорбируется на атом мышьяка димера, а атом водорода - на атом галлия, связанный с этим атомом мышьяка. Анализ энергий орбиталей показывает, что эти два состояния обеспечивают химическую и электронную пассивацию поверхности полупроводника. PACS: 68.43.Bc, 68.47.Fg, 82.65.+r