"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Адсорбция метилтиола на поверхности GaAs(100)-(2x4): квантово-химический анализ из первых принципов
Лебедев М.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 августа 2007 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2008 г.

Квантово-химические кластерные расчеты в рамках теории функционала плотности использованы для исследования механизма адсорбции молекулы метилтиола CH3SH на димер As-As, находящийся на поверхности GaAs(100). Показано, что адсорбция молекулы может происходить путем диссоциации либо связи S-H, либо связи C-S. Наименьшую энергию имеет состояние диссоциативной адсорбции с разрывом связи C-S и образованием молекулы метана и адатома серы, внедренного между поверхностными атомами мышьяка, составляющими димер. Несколько большую энергию имеет состояние диссоциативной адсорбции с разрывом связи S-H, в котором радикал CH3S- адсорбируется на атом мышьяка димера, а атом водорода - на атом галлия, связанный с этим атомом мышьяка. Анализ энергий орбиталей показывает, что эти два состояния обеспечивают химическую и электронную пассивацию поверхности полупроводника. PACS: 68.43.Bc, 68.47.Fg, 82.65.+r
  1. М.В. Алфимов. Изв. РАН. Сер. хим., N 7, 1303 (2004)
  2. S.F. Bent. J. Phys. Chem. B, 106, 2830 (2002)
  3. A. Vilan, D. Cahen. Trends Biotechnol., 20, 22 (2002)
  4. S. Lodha, D.B. Janes. J. Appl. Phys., 100, 024 503 (2006)
  5. T. Minari, Y. Miyata, M. Terayama, T. Nemoto, T. Nishinaga, K. Komatsu, S. Isoda. Appl. Phys. Lett., 88, 083 514 (2006)
  6. L. Mohaddes-Ardabili, L.J. Marti nez-Miranda, J. Silverman, A. Christou, L.G. Salamanca-Riba, M. Al-Sheikhly, W.E. Bentley, F. Ohuchi. Appl. Phys. Lett., 83, 192 (2003)
  7. Y. Cho, A. Ivanisevic. J. Phys. Chem. B, 109, 12 731 (2005)
  8. K.-Y. Park, S.-W. Han, M.-S. Kim, S.-Y. Choi. Electron. Lett., 40, 203 (2004)
  9. A. Vilan, A. Shanzer, D. Cahen. Nature, 40, 4166 (2000)
  10. N. Papageorgiou, Y. Ferro, J.M. Layet, L. Giovanelli, A.J. Mayne, G. Dujardin, H. Oughaddou, G. Le Lay. Appl. Phys. Lett., 82, 2518 (2003)
  11. I. Nevo, S.R. Cohen. Surf. Sci., 583, 297 (2005)
  12. M.P. Stewart, F. Maya, D.V. Kosynkin, S.M. Dirk, J.J. Stapleton, C.L. McGuiness, D.L. Allara, J.M. Tour. J. Amer. Chem. Soc., 126, 370 (2004)
  13. A.M. Botelho do Rego, A.M. Ferraria, J.E. Beghdadi, F. Debontridder, P. Brogueira, R. Naaman, M.R. Vilar. Langmuir, 21, 8765 (2005)
  14. S.R. Lunt, G.N. Ryba, P.G. Santangelo, N.S. Lewis. J. Appl. Phys., 70, 7449 (1991)
  15. C.L. McGuiness, A. Shaporenko, M. Zharnikov, A.V. Walker, D.L. Allara. J. Phys. Chem. C, 111, 4226 (2007)
  16. F. Seker, K. Meeker, T.F. Kuech, A.B. Ellis. Chem. Rev., 100, 2505 (2000)
  17. S.M. Luber, K. Adlkofer, U. Rant, A. Ulman, A. Golzhauser, M. Grunze, D. Schuh, M. Tanaka, M. Tornow, G. Abstreiter. Physica E, 21, 1111 (2004)
  18. E. Sackmann, M. Tanaka. Trends Biotechnol., 18, 58 (2000)
  19. K. Adlkofer, M. Tanaka. Langmuir, 17, 4267 (2001)
  20. Y. Jun, X.Y. Zhu, J.W.P. Hsu. Langmuir, 22, 3627 (2006)
  21. A. Shaporenko, K. Adlkofer, L.S.O. Johansson, M. Tanaka, M. Zharnikov. Langmuir, 19, 4992 (2003)
  22. M.D. Pashley. Phys. Rev. B, 40, 10 481 (1989)
  23. Q. Fu, L. Li, R.F. Hicks. Phys. Rev. B, 61, 11 034 (2000)
  24. Q. Fu, L. Li, C.H. Li, M.J. Begarney, D.C. Law, R.F. Hicks. J. Phys. Chem. B, 104, 5595 (2000)
  25. М.В. Лебедев. ФТТ, 48, 152 (2006)
  26. J.W.P. Hsu, D.V. Lang, K.W. West, Y.-L. Loo, M.D. Halls, K. Raghavachari. J. Phys. Chem. B, 109, 5719 (2005)
  27. M.J. Frisch, G.W. Trucks, H.B. Schlegel, G.E. Scuseria, M.A. Robb, J.R. Cheeseman, J.A. Montgomery, jr., T. Vreven, K.N. Kudin, J.C. Burant, J.M. Millam, S.S. Iyengar, J. Tomasi, V. Barone, B. Mennucci, M. Cossi, G. Scalmani, N. Rega, G.A. Petersson, H. Nakatsuji, M. Hada, M. Ehara, K. Toyota, R. Fukuda, J. Hasegawa, M. Ishida, T. Nakajima, Y. Honda, O. Kitao, H. Nakai, M. Klene, X. Li, J.E. Knox, H.P. Hratchian, J.B. Cross, C. Adamo, J. Jaramillo, R. Gomperts, R.E. Stratmann, O. Yazyev, A.J. Austin, R. Cammi, C. Pomelli, J.W. Ochterski, P.Y. Ayala, K. Morokuma, G.A. Voth, P. Salvador, J.J. Dannenberg, V.G. Zakrzewski, S. Dapprich, A.D. Daniels, M.C. Strain, O. Farkas, D.K. Malick, A.D. Rabuck, K. Raghavachari, J.B. Foresman, J.V. Ortiz, Q. Cui, A.G. Baboul, S. Clifford, J. Cioslowski, B.B. Stefanov, G. Liu, A. Liashenko, P. Piskorz, I. Komaromi, R.L. Martin, D.J. Fox, T. Keith, M.A. Al-Laham, C.Y. Peng, A. Nanayakkara, M. Challacombe, P.M.W. Gill, B. Johnson, W. Chen, M.W. Wong, C. Gonzalez, J.A. Pople. GAUSSIAN 03: Revision C.01 (Gaussian Inc., Wallingford, CT, 2004)
  28. J.P. Perdew, K. Burke, Y. Wang. Phys. Rev. B, 54, 16 533 (1996)
  29. C. Adamo, V. Barone. J. Chem. Phys., 108, 664 (1998)
  30. G. Igel-Mann, H. Stoll, H. Preuss. Mol. Phys., 65, 1321 (1988)
  31. A. Bergner, M. Dolg, W. Kuechle, H. Stoll, H. Preuss. Mol. Phys., 80, 1431 (1993)
  32. R.G. Parr, W. Yang. Density functional theory of atoms and molecules (Oxford University Press and Clarendon Press, N.Y.--Oxford, 1989)
  33. P. Geerlings, F. De Proft, W. Langenaeker. Chem. Rev., 103, 1793 (2003)
  34. W. Yang, R.G. Parr. Proc. Natl. Acad. Sci. USA, 82, 6723 (1985)
  35. C.E. Mitchell, I.G. Hill, A.B. McLean, Z.H. Lu. Appl. Surf. Sci., 104/105, 434 (1996)
  36. V.L. Alperovich, O.E. Tereshchenko, N.S. Rudaya, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev, A.S. Terekhov. Appl. Surf. Sci., 235, 249 (2004)
  37. N. Camillone III, K.A. Khan, R.M. Osgood. Surf. Sci., 453, 83 (2000)
  38. N. Camillone III, K. Abib, K.A. Khan, D. Mocuta, R.M. Osgood. J. Phys. Chem. B, 106, 12 491 (2002)
  39. N.K. Singh, D.C. Doran. Surf. Sci., 422, 50 (1999)
  40. S. Donev, N. Brack, N.J. Paris, P.J. Pigram, N.K. Singh, B.F. Usher. Langmuir, 21, 1866 (2005)
  41. O. Voznyy, J.J. Dubowski. J. Phys. Chem. B, 110, 23 619 (2006)
  42. R. Osgood. Chem. Rev., 106, 4379 (2006)
  43. M.V. Lebedev, Th. Mayer, W. Jaegermann. Surf. Sci., 547, 171 (2003).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.