"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрохимическое травление макропор в кремнии с щелевыми затравками
Астрова Е.В.1, Нечитайлов А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 октября 2007 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2008 г.

Исследованы особенности формирования макропор в n-Si с щелевыми затравками на поверхности. Установлено, что линейные центры нуклеации, в отличие от точечных, формируют наполовину упорядоченную решетку пор: вдоль щелей поры зарождаются случайным образом в процессе самоорганизации, поперек щелей --- следуют заданному периоду a. Среднее расстояние между порами вдоль щелевой линии зависит от a, уменьшаясь при его возрастании. Выбирая оптимальные значения a и плотности фототока травления, можно добиться слияния отдельных пор в единую канавку и получить периодическую структуру щелей с глубокими вертикальными стенками. Рассмотрены некоторые аспекты взаимодействия пор между собой для разного поверхностного рельефа и формирование зон, свободных от зарождения пор. PACS: 82.45.Vp, 81.05.Rm, 82.47.-a, 82.45.Fk, 82.47.Gh
  1. H. Foll, M. Christophersen, J. Carstensen, G. Hasse. Mater. Sci. Eng. R, 39, 93 (2002)
  2. V. Lehmann. Electrochemistry of Silicon (Germany, Wiley--VCH, 2002)
  3. V. Lehmann, H. Foll. J. Electrochem. Soc., 137, 653 (1990)
  4. V. Lehmann, U. Gruning. Thin Sol. Films, 297, 13 (1997)
  5. G. Barillaro, A. Nannini, F. Pieri. J. Electrochem. Soc., 149 (3), C180 (2002)
  6. G. Barillaro, A. Nannini, M. Piotto. Sensors Actuators A, 102, 195 (2002)
  7. Е.В. Астрова, T.S. Perova, В.А. Толмачев, А.Д. Ременюк, J. Vij, A. Moore. ФТП, 37, 417 (2003)
  8. V. Lehmann. J. Electrochem. Soc., 140, 2836 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.