Вышедшие номера
Примесные резонансные состояния в полупроводниках О б з о р
Алешкин В.Я.1, Гавриленко Л.В.1, Одноблюдов М.А.2, Яссиевич И.Н.2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 6 февраля 2008 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2008 г.

Обсуждается современное положение дел в исследованиях локализованных и резонансных примесных состояний в квантово-размерных структурах и напряженных полупроводниках. Рассмотрены также резонансные оптические переходы, обусловленные взаимодействием с оптическими фононами. Проведен анализ различных методик расчета характеристик как донорных, так и акцепторных резонансных и локализованных состояний, а также представлен большой набор экспериментальных данных. PACS: 71.23.An, 71.70.Fk