Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Термостойкий диод Шоттки TiB_x-n-GaP

Беляев А.Е.¹, Болтовец Н.С.², Иванов В.Н.², Камалов А.Б.¹, Капитанчук Л.М.³, Конакова Р.В.¹, Кудрик Я.Я.¹, Литвин О.С.¹, Миленин В.В.¹, Насыров М.У.¹

¹Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

²Государственное предприятие НИИ "Орион", Киев, Украина
³Институт электросварки им. Е.О. Патона Национальной академии наук Украины, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 5 сентября 2007 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2008 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучалось влияние быстрой термической обработки на параметры барьеров Шоттки TiB_x-n-GaP и межфазные взаимодействия на границе раздела TiB_x-GaP. Показано, что контактная система TiB_x-n-GaP обладает повышенной термостойкостью без изменения электрофизических параметров барьера Шоттки вплоть до T=600^oC. PACS: 85.30.Hi, 81.40.Rs, 73.40.Gk

С.И. Радауцан, Ю.И. Максимов, В.В. Негрескул, С.Л. Пышкин. Фосфид галлия (Кишинев, АН МССР, 1969)
Л.И. Марина, А.Я. Нашельский, Л.И. Колесник. Полупроводниковые фосфиды A^IIIB^V (М., Металлургия, 1974)
Л.М. Коган. Полупроводниковые светоизлучающие диоды (М., Энергоиздат, 1983)
А. Берг, П. Дин. Светодиоды (М., Мир, 1987)
C.A. Mead. Sol. St. Electron., 9 (11), 1023 (1966)
С.Г. Мадоян, М.К. Гусейханов, В.В. Болтовский. Обзоры по электрон. техн. Сер. 2. Полупроводниковые приборы, N 10 (328), 64 (1975)
Tan F. Lei, Chung L. Lee, Chun J. Chang. Sol. St. Electron., 21 (11), 1035 (1979)
Б.В. Царенков, Ю.А. Гольдберг, Е.А. Поссе. ФТП, 7 (12), 2326 (1973)
Ю.А. Гольдберг, Е.А. Поссе, Б.В. Царенков. ФТП, 20 (8), 1510 (1986)
Ю.А. Гольдберг, Е.А. Поссе. ФТП, 32 (2), 200 (1998)
M.A. Nicolet. TSF, 52, 415 (1978)
Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, Р.В. Конакова и др. ФТП, 38 (7), 769 (2004)
I. Shalish, Yoram Shapira. J. Vac. Sci. Technol. B, 18 (5), 2447 (2000)
Э.Х. Родерик. Контакты металл-полупроводник (М., Радио и связь, 1982).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель