"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Малошумящие фотодиоды на основе двойной гетероструктуры GaSb/GaInAsSb/AlGaAsSb для спектрального диапазона 1-4.8 мкм
Журтанов Б.Е.1, Ильинская Н.Д.1, Именков А.Н.1, Михайлова М.П.1, Калинина К.В.1, Сиповская М.А.1, Стоянов Н.Д.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 сентября 2007 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2008 г.

Исследованы фотодиодные гетероструктуры n-GaSb/n-GaInAsSb/p-AlGaAsSb с красной границей фоточувствительности 4.8 мкм. Показано, что большое содержание In в узкозонном слое и Al в широкозонном слое приводит к улучшению фотоэлектрических параметров за счет устранения туннельной утечки перехода n-GaInAsSb/p-AlGaAsSb. Получена обнаружительная способность D*lambda=1.1·109 смГц1/2Вт-1 при комнатной температуре. PACS: 85.60.Dw, 79.60.Jv
  1. Analitical Chemistry, 28 (8), 219 (1956)
  2. А.П. Астахова, Б.Е. Журтанов, А.Н. Именков, М.П. Михайлова, М.А. Сиповская. Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 33 (1), 23 (2007)
  3. А.П. Астахова, Б.Е. Журтанов, А.Н. Именков, М.П. Михайлова, М.А. Сиповская. Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 33 (19), 9 (2007)
  4. Handbook Series on Semiconductor Parameters, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur, vol. 1, 2 (World Scientific, Singapore--N.J.--London--Hong Kong, 1996)
  5. А.А. Андаспаева, А.Н. Баранов, Б.Л. Гельмонт, Б.Е. Журтанов, Г.Г. Зегря, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев, С.Г. Ястребов. ФТП, 25 (3), 394 (1991)
  6. M.G. Mauk, V.M. Andreev. Semicond. Sci. Technol., 18, 5191 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.