"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрофизические свойства контактов с барьером Шоттки на аморфном гидрированном кремнии
Стриха В.И., Ильченко В.В., Мездрогина М.М., Андреев А.А.
Выставление онлайн: 18 февраля 1988 г.

Исследованы механизмы переноса тока через барьер металл--аморфный гидрированный кремний. Обнаружено существование надбарьерного и генерационно-рекомбинационного механизмов. Показано, что технологические параметры получения пленок (температура подложки, скорость напыления) определяют механизм переноса тока. Исследования проводились с помощью анализа темновых ВАХ структур с барьером Шоттки, изготовленных на пленках аморфного гидрированного кремния.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.