"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Динамика пробоя мелких акцепторов в германии в сильных электрических полях
Даргис А.Ю., Жураускас С.В.
Выставление онлайн: 18 февраля 1988 г.

Исследована динамика пробоя мелких примесей в дырочном германии при гелиевых температурах в наносекундном диапазоне времен и измерена зависимость коэффициента ударной ионизации Ai от электрического поля в диапазоне E=10/500 В/см. Найдено, что в сильных полях (E>100 В/см) Ai --- насыщается. Из сравнения теоретических расчетов с экспериментальными данными определено боровское сечение для ударной ионизации примесей галлия в германии sigma0=7·10-13 см2.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.