"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Сопротивление и ВАХ чистого полупроводникового контакта в магнитном поле
Глазман Л.И., Юрченко В.Б.
Выставление онлайн: 18 февраля 1988 г.

Исследовано влияние магнитного поля H на протекание тока сквозь тонкий полупроводниковый контактный слой малой толщины d. Предполагается, что длина свободного пробега электронов в слое l>> d, поле H ориентировано в плоскости слоя, а перераспределение заряда при протекании тока не влияет на электрическое поле в контакте. В случае симметричного контакта (с берегами из одинакового материала) магнитное поле изменяет ВАХ в области напряжений U=<sssim (4T/e)(H/H0)2, H0=4ckT/evтd (vт --- тепловая скорость электронов). В баллистическом режиме (l->бесконечность) магнитосопротивление такого контакта Delta RH~ H/H0 в слабых (H=<sssim H0) полях; в сильном поле (H>~= H0) сопротивление Delta R(H)/R0~exp[(H/H0)2]. Рассеяние сглаживает зависимость R(H) в области очень слабых [H=<sssim (d/l)2H0] и достаточно сильных [H>~= H0ln1/2(l/d)] полей, приводя к квадратичному ходу R(H). В основной же области изменения поля H специфика баллистического режима сохраняется. Влияние магнитного поля на ВАХ исследовано также для несимметричного контакта.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.