"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование электронно-колебательной структуры изоэлектронных примесей в кремнии. Изменение электронных свойств при зарождении фазы Ge в Si
Грехов А.М., Шаховцов В.И.
Выставление онлайн: 20 января 1988 г.

В кластерном приближении на основе метода ППДП/2 рассчитаны орбитальные энергии, интегральные и локальные плотности электронных состоянии фрагментов структуры кремния, состоящих из 4 координационных сфер и насыщающих псевдоатомов водорода, а также атомов германия. Рассмотрен процесс перераспределения электронной плотности в области зарождения фазы германия в кремнии. Показано, что ширина запрещенной "зоны" немонотонно зависит от числа атомов германия в кластере, что может служить причиной формирования "хвостов" плотности состояний. Наиболее чувствительными к изменению локального окружения оказываются локальные плотности состояний. Релаксация структуры приводит к уменьшению ширины запрещенной "зоны" и увеличению локальной плотности состояний у потолка валентной "зоны" на атоме германия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.