Аналитически при малых компенсациях и с помощью моделирования на ЭВМ в широком диапазоне компенсаций вычислена функция распределения градиентов электрических полей на нейтральных донорах в примесной зоне слабо легированного компенсированного полупроводника при низких температурах. Вычисленная функция распределения определяет форму спектральной линии перехода между состояниями 1s и 2p₀ мелкого донора в GaAs в экспериментах по фототермической магнитной спектроскопии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.