"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Лазерная эпитаксия гетероструктур HgCdTe/Si
Пляцко С.В.1, Бергуш Н.Н.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 26 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.

Методом лазерного осаждения были получены тонкие пленки HgCdTe на подложках из Si при температуре роста =<sssim 190oC. Результаты оже-спектроскопии, оптических и электрофизических исследований показали большую зависимость качества осаждаемых пленок от типа источника и качества подложек Si.
  1. А.М. Таськов, И.М. Малинский, Д.Г. Родионов, А.Е. Гукайло. ЖАХ, 45 (5), 1001 (1990)
  2. J.T. Cheung, D.T. Cheung. J. Vac. Sci. Technol., 21 (1), 182 (1982)
  3. J.T. Cheung, H. Sankur. Sol. St. Mater. Sci., 15 (1), 63 (1988)
  4. J.M. Wrobel, J.J. Dubowski. Appl. Phys. Lett., 55 (5), 469 (1989)
  5. J.J. Dubowski, A.P. Roth, E. Teleporte, G. Peter, Z.C. Feng, S. Perkowitz. J. Cryst. Growth, 117, 862 (1992)
  6. С.В. Пляцко. ФТП, 32, 257 (1997)
  7. R. Sporken, M.D. Lange, S. Sivananthan, J.T. Faurie. Appl. Phys. Lett., 59 (1), 81 (1991)
  8. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. УФН, 168 (10), 1083 (1998)
  9. J.T. Cheung, J. Madden. J. Vac. Sci. Technol. B, 5 (3), 705 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.