Влияние рода и концентрации мелких примесей на микротвердость и фотомеханический эффект в полупроводниках
Герасимов А.Б.1, Чирадзе Г.Д.1
1Кутаисский государственный университет им. Акакия Церетели, Кутаиси, Грузия
Поступила в редакцию: 17 августа 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.
Приведены результаты исследования по влиянию типа и концентрации мелких примесей на микротвердость и фотомеханический эффект в монокристаллическом кремнии. Показано, что с увеличением концентрации мелких примесей уменьшается как темновая микротвердость, так и величина фотомеханического эффекта. При этом влияние акцепторных примесей сравнительно больше, чем донорных. Полученные данные объясняются на основе механизма, согласно которому за уменьшение микротвердости в полупроводниках ответственны свободные носители тока (антисвязывающие квазичастицы), которые образуются в соответствующих энергетических зонах.
- G.C. Kuczynsky, R.H. Hochman. Phys. Rev., 108, 946 (1957)
- М.С. Аблова, А.Р. Регель. ФТТ, 4, 1053 (1962)
- М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский, О.Г. Столяров, Д.Б. Шлякова. ФММ, 20, 150 (1965)
- С.С. Горелик, Ю.М. Литвинов, М.Г. Лозинский, Т.Г. Терещенкова. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 2, 1689 (1966)
- Ю.Х. Векилов, М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский, О.Г. Столярова, Л.И. Холодный. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 2, 636 (1966)
- П.П. Кузьменко, Н.Н. Новиков, Н.Я. Горидько, К.И. Федоренко. ФТТ, 8, 1732 (1966)
- А.Б. Герасимов, В.Б. Голубков, Э.Р. Кутелия, В.П. Минеев, Э.М. Мкртычян, А.А. Церцвадзе. Письма ЖТФ, 6, 58 (1980)
- A.B. Gerasimov. Proc. Fourth. Int. Conf. Materials of Science Forum (N. Y., 1990) v. 65--66, p. 47
- А.Б. Герасимов, Г.Д. Чирадзе, Н.Г. Кутивадзе, А.П. Бибилашвили, З.Г. Бохочадзе. ФТТ, 40, 503 (1998)
- А.Б. Герасимов, Г.Д. Чирадзе, Н.Г. Кутивадзе, А.П. Бибилашвили, З.Г. Бохочадзе. ФТТ, 41, 1225 (1999)
- А.Б. Герасимов, Г.Д. Чирадзе, Н.Г. Кутивадзе, А.П. Бибилашвили, З.Г. Бохочадзе. ФТТ, 42, 683 (2000)
- А.Б. Герасимов, Г.Д. Чирадзе, Н.Г. Кутивадзе. ФТП, 35 (1), 70 (2001)
- А.Б. Герасимов, Г.Д. Чирадзе, Н.Г. Кутивадзе. Сб. науч. тр. "Интелекти", 3, 24 (1998)
- A.B. Gerasimov, G.D. Chiradze, N.G. Kutivadze, A.P. Bibilashvili, Z.G. Bokhochadze. Proc. Tbilisi University. Ser. Physics, 34, 79 (1999)
- У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел (М., Мир, 1983) т. 1, с. 92
- A.B. Gerasimov, G.D. Chiradze, N.G. Kutivadze, A.P. Bibilashvili, Z.G. Bokhochadze. Proc. Tbilisi University. Ser. Physics, 34, 73 (1999)
- С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Изд-во физ.--мат. лит., 1963)
- Вопросы радиационной технологии полупроводников, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1980) с. 149.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук