"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние рода и концентрации мелких примесей на микротвердость и фотомеханический эффект в полупроводниках
Герасимов А.Б.1, Чирадзе Г.Д.1
1Кутаисский государственный университет им. Акакия Церетели, Кутаиси, Грузия
Поступила в редакцию: 17 августа 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.

Приведены результаты исследования по влиянию типа и концентрации мелких примесей на микротвердость и фотомеханический эффект в монокристаллическом кремнии. Показано, что с увеличением концентрации мелких примесей уменьшается как темновая микротвердость, так и величина фотомеханического эффекта. При этом влияние акцепторных примесей сравнительно больше, чем донорных. Полученные данные объясняются на основе механизма, согласно которому за уменьшение микротвердости в полупроводниках ответственны свободные носители тока (антисвязывающие квазичастицы), которые образуются в соответствующих энергетических зонах.
  1. G.C. Kuczynsky, R.H. Hochman. Phys. Rev., 108, 946 (1957)
  2. М.С. Аблова, А.Р. Регель. ФТТ, 4, 1053 (1962)
  3. М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский, О.Г. Столяров, Д.Б. Шлякова. ФММ, 20, 150 (1965)
  4. С.С. Горелик, Ю.М. Литвинов, М.Г. Лозинский, Т.Г. Терещенкова. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 2, 1689 (1966)
  5. Ю.Х. Векилов, М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский, О.Г. Столярова, Л.И. Холодный. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 2, 636 (1966)
  6. П.П. Кузьменко, Н.Н. Новиков, Н.Я. Горидько, К.И. Федоренко. ФТТ, 8, 1732 (1966)
  7. А.Б. Герасимов, В.Б. Голубков, Э.Р. Кутелия, В.П. Минеев, Э.М. Мкртычян, А.А. Церцвадзе. Письма ЖТФ, 6, 58 (1980)
  8. A.B. Gerasimov. Proc. Fourth. Int. Conf. Materials of Science Forum (N. Y., 1990) v. 65--66, p. 47
  9. А.Б. Герасимов, Г.Д. Чирадзе, Н.Г. Кутивадзе, А.П. Бибилашвили, З.Г. Бохочадзе. ФТТ, 40, 503 (1998)
  10. А.Б. Герасимов, Г.Д. Чирадзе, Н.Г. Кутивадзе, А.П. Бибилашвили, З.Г. Бохочадзе. ФТТ, 41, 1225 (1999)
  11. А.Б. Герасимов, Г.Д. Чирадзе, Н.Г. Кутивадзе, А.П. Бибилашвили, З.Г. Бохочадзе. ФТТ, 42, 683 (2000)
  12. А.Б. Герасимов, Г.Д. Чирадзе, Н.Г. Кутивадзе. ФТП, 35 (1), 70 (2001)
  13. А.Б. Герасимов, Г.Д. Чирадзе, Н.Г. Кутивадзе. Сб. науч. тр. "Интелекти", 3, 24 (1998)
  14. A.B. Gerasimov, G.D. Chiradze, N.G. Kutivadze, A.P. Bibilashvili, Z.G. Bokhochadze. Proc. Tbilisi University. Ser. Physics, 34, 79 (1999)
  15. У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел (М., Мир, 1983) т. 1, с. 92
  16. A.B. Gerasimov, G.D. Chiradze, N.G. Kutivadze, A.P. Bibilashvili, Z.G. Bokhochadze. Proc. Tbilisi University. Ser. Physics, 34, 73 (1999)
  17. С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Изд-во физ.--мат. лит., 1963)
  18. Вопросы радиационной технологии полупроводников, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1980) с. 149.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.