Исходя из уравнения Пуассона рассмотрены особенности распределения объемного заряда, напряженности электрического поля и потенциала в p-n-переходе в узкозонном полупроводнике типа HgMnTe. Показано, что при сужении запрещенной зоны влияние свободных носителей приводит к тому, что зависимость напряженности электрического поля от координаты отклоняется от линейной, а потенциала - от квадратичной. Вследствие этого, а также из-за значительного увеличения диффузионного потенциала в n⁺-p-переходе с вырожденной n⁺-областью, становятся своеобразными механизмы переноса заряда: зависимость рекомбинационного тока от напряжения отклоняется от обычно используемых аналитических выражений, а при больших напряжениях смещения доминирует диффузионный ток дырок из слабо легированной p-области в n⁺-область.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.