"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Ориентационная зависимость свойств поверхностных анодных окислов на CdxHg1-xTe
Средин В.Г.1, Мезин Ю.С.1, Укроженко В.М.1
1Военная академия ракетных войск стратегического назначения им. Петра Великого, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 8 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2001 г.

Методом электронной спектроскопии для химического анализа проведены исследования зависимости состава анодного окисла от ориентации поверхности кристаллов CdxHg1-xTe (x=0.19). Было обнаружено, что составы окислов на поверхностях кристалла с ориентацией (111) и (100) идентичны и плавно изменяются от подложки к внешней поверхности, в то время как окисел на поверхности с ориентацией (110) содержит прослойку неокисленного теллура. Этот результат коррелирует с некоторыми известными свойствами окислов CdxHg1-xTe.
  1. C.R. Hill. J. Vac. Sci. Technol. A, 8 (2), 1778 (1990)
  2. А.В. Войцеховский, В.Н. Давыдов. Фотоэлектрические МДП структуры из узкозонных полупроводников (Томск, Радио и связь, 1990)
  3. В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев. ФТП. 32, (11), 1281 (1998)
  4. В.Г. Средин, О.Г. Ланская, В.М. Поповнин. ФТП. 30, (3), 385 (1996)
  5. G.F. Wagner, D.R. Rhiger. J. Vac. Sci. Technol. A, 3 (1), 212 (1985)
  6. Н.Р. Аигина, Н.Н. Берченко. Зарубеж. электрон. техн., N 10 (305), 3 (1986)
  7. M.A. Berding, K. Srinivasan, A. Sher. J. Vac. Sci. Technol. B, 9 (3), 1858 (1990)
  8. Физика и химия соединений A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=-, под ред. М. Авена, Дж.С. Пренера (М., Мир, 1970) с. 115
  9. G. Ginader, A. Raizman, A. Sher. J. Vac. Sci. Technol. B, 9, 1634 (1991)
  10. R. Korenstein, P. Hallok, B. Mac Leod, W. Hoke, S. Ogus. J. Vac. Sci. Technol. A, 8 (2), 1039 (1990)
  11. L.L. Chang. Sol. St. Electron., 10, 69 (1967)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.