"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фоточувствительность гетеропереходов a-C : H / c-Si
Барышников В.Г.1, Николаев Ю.А.2, Рудь В.Ю.3, Рудь Ю.В.2, Теруков Е.И.2
1Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 марта 2001 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2001 г.

Методом тлеющего разряда в газовой смеси CH4+Ar на пластинах c-Si получены слои a-C : H. Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов a-C : H / c-Si. В полученных гетеропереходах обнаружено выпрямление и широкополосный фотовольтаический эффект. Показано, что поляризационная фоточувствительность в этих структурах возникает в условиях наклонного падения линейно поляризованного излучения со стороны слоев a-C : H, а обнаруженные осцилляции в спектре коэффициента наведенного фотоплеохроизма обусловлены интерференцией излучения в этих слоях.
  1. H.N. Konofaos, C.B. Tomas. J. Appl. Phys., 81, 6238 (1997)
  2. S. Birkle, J. Kammermaier, G.P. Rutmayer. US-Patent 5206534 (1993)
  3. K.M. Krishna, T. Soga, T. Jimbo, M. Umeno. Carbon, 37, 531 (1999)
  4. K.M. Krishna, Y. Nukaya, T. Soga, T. Jimbo, M. Umei. Solar Energy Mat. Solar Cells, 65, 163 (2001)
  5. K.L. Narayanan, M. Yamaguchi. Appl. Phys. Lett., 75, 2106 (1999)
  6. В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 31, 245 (1997)
  7. В.М. Ботнарюк, А.В. Коваль, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, А.В. Симашкевич, Д.А. Щербак. ФТП, 31, 800 (1997)
  8. Ф.П. Кесаманлы, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 33, 513 (1999)
  9. V.Yu. Rud', Yu.V. Rud', H.W. Schock. Sol. St. Phenomena, 67--68, 421 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.