Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Обратный ток варизонной p-n-структуры с немонотонной координатной зависимостью ширины запрещенной зоны

Соколовский Б.С.¹

¹Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина Franko Lviv National University, Lviv, Ukraine

Поступила в редакцию: 6 февраля 2001 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2001 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Теоретически проанализированы особенности обратного тока варизонной p-n-cтруктуры, в которой ширина запрещенной зоны линейно возрастает с увеличением расстояния от металлургической границы. Показано, что за счет варизонности можно значительно уменьшить обратный ток p-n-перехода, связанный с тепловой генерацией носителей в базовых областях структуры и на омических контактах. Предсказана возможность возникновения в случае больших градиентов ширины запрещенной зоны на обратной ветви вольт-амперной характеристики участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением.

Фотоприемники видимого и инфракрасного диапазона, под ред. Р.Дж. Киеса (М., Радио и связь, 1985)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов, пер. с англ. под ред. Р.А. Суриса (М., Мир, 1984)
В.Г. Савицкий, Б.С. Соколовский. ФТП, 13, 1452 (1979)
В.Г. Савицкий, Б.С. Соколовский. ФТП, 31, 3 (1997)
В.М. Осадчий, А.О. Сусляков, В.В. Васильев, С.А. Дворецкий. ФТП, 33, 293 (1999)
В.А. Холоднов, А.А. Другова. Письма в ЖТФ, 26 (5), 49 (2000)
Б.С. Соколовский. Письма ЖТФ, 26 (7), 51 (2000)
В.В. Васильев, Д.Е. Есаев, Ф.А. Кравченко, В.М. Осадчий, А.О. Сусляков. ФТП, 34, 877 (2000)
A.H. Marshak, K.M. Vliet. Sol. St. Electron., 21, 417 (1978)
D. Eich, K. Ortner, U. Groh, Z.H. Chen, C.R. Becker, G. Landwehr, R. Fink, E. Umbach. Phys. St. Sol. (a), 173, 261 (1999)
О.В. Константинов, Г.В. Царенков. ФТП, 10, 720 (1976)
Properties of Narrow Gap Cadmium-Based Compounds, ed. by P. Capper (INSPEC, 1994)
J. Franc, E. Belas, R. Grill, A. Toth, H. Sitter, P. Moravec, P. Hoschl. Proc. SPIE, 3182, 207 (1997)
J. Piotrowski, W. Gawton. Infr. Phys. Technol., 38, 63 (1997)
Г.В. Царенков. ФТП, 9, 253 (1975)
Heterojunction Band Discontinuities. Physics and Device Applications, ed. by F. Capasso, G. Margaritondo (Elsevier Science Publication B.V., 1987)
A. Schenk, M. Stahl, H.-J. Wunsche. J. Cryst. Growth, 101, 350 (1990)
I.M. Baker, M.P. Hastings, L.G. Hipwood, C.L. Jones, P. Knowles. III--Vs Review, 9 (2), 50 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель