Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Импульсный синтез слоев beta-FeSi₂ на кремнии, имплантированном ионами Fe⁺

Баталов Р.И.¹, Баязитов Р.М.¹, Теруков Е.И.², Кудоярова В.Х.², Weiser G.³, Kuehne H.³

¹Казанский физико-технический институт Российской академии наук, Казань, Россия
²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

³Philipps-Universitat Marburg, Marburg, Germany

Поступила в редакцию: 4 апреля 2001 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2001 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Синтез сплошных слоев и мелкодисперсных пленок beta-FeSi₂ проводился с использованием имплантации ионов Fe⁺ в Si (100) с последующей наносекундной импульсной ионной обработкой имплантированных слоев. С использованием рентгеновской дифракции показано, что импульсная ионная обработка приводит к образованию смеси двух фаз: FeSi и beta-FeSi₂ с напряженными кристаллическими решетками. Последующий кратковременный термический отжиг приводит к полной трансформации фазы FeSi в фазу beta-FeSi₂ с образованием текстурированного слоя. Данные рамановского рассеяния подтверждают образование фазы beta-FeSi₂ при высокой степени кристалличности кремния. Результаты измерений оптического поглощения свидетельствуют о формировании слоев и преципитатов beta-FeSi₂ с прямозонной структурой с величиной оптической щели E_g~ 0.83 эВ и шириной хвоста Урбаха E₀~ 220 мэВ. Сигнал фотолюминесценции при lambda~ 1.56 мкм, обусловленный прямыми межзонными переходами в beta-FeSi₂, наблюдался вплоть до температуры 210 K.

H. Ennen, J. Schneider, G. Pomrenke, A. Axmann. Appl. Phys. Lett., 43, 943 (1983)
H. Ennen, G. Pomrenke, A. Axmann, K. Eisele, W. Haydl, J. Schneider. Appl. Phys. Lett., 46, 381 (1985)
S. Coffa, C. Franzo, F. Priolo, A. Polman, R. Serna. Phys. Rev. B, 49, 16 313 (1994)
M.C. Bost, J.E. Mahan. J. Appl. Phys., 58, 2696 (1985); J. Appl. Phys., 64, 2034 (1988)
H. Katsumata, Y. Makita, N. Kobayashi, H. Shibata, M. Hasegawa, I. Aksenov, S. Kimura, A. Obara, S. Uekusa. J. Appl. Phys., 80, 5955 (1996)
M.G. Grimaldi, S. Coffa, C. Spinella, F. Marabelli, M. Galli, L. Miglio, V. Meregalli. J. Luminesc., 80, 467 (1999)
T. Suemasu, Y. Iikura, K. Takakura, F. Hasegawa. J. Luminesc., 87-89, 528 (2000)
K.P. Homewood, K.J. Reeson, R.M. Gwilliam, A.K. Kewell, M.A. Lourenco, G. Shao, Y.L. Chen, J.S. Sharpe, C.N. McKinty, T. Butler. Thin Sol. Films, 381, 188 (2001)
T. Suemasu, Y. Negishi, K. Takakura, F. Hasegawa. Jpn. J. Appl. Phys., 39, L1013 (2000)
B.O. Kolbesen, H. Cerva. Phys. St. Sol. (b), 222, 303 (2000)
R. Hodgson, J.E.E. Baglin, R. Pal, J.M. Neri, D.A. Hammer. Appl. Phys. Lett., 37, 187 (1980)
L.J. Chen, L.S. Hung, J.W. Mayer, J.E.E. Baglin, J.M. Neri, D.A. Hammer. Appl. Phys. Lett., 40, 595 (1982)
R.M. Bayazitov, L.Kh. Zakirzyanova, I.B. Khaibullin, I.F. Isakov, A.F. Chachakov. Vacuum, 43, 619 (1992)
R.M. Bayazitov, L.Kh. Antonova, I.B. Khaibullin, G.E. Remnev. Nucl. Instr. Meth. B, 139, 418 (1998)
K.J. Reeson, M.S. Finney, M.A. Harry, S.V. Hutchison, Y.S. Tan, D. Leong, T.R. Bearda, Z. Yang, G. Curello, K.P. Homewood, R.M. Gwilliam, B.J. Sealy. Nucl. Instr. Meth. B, 106, 364 (1995)
A.G. Birdwell, R. Glosser, D.N. Leong, K.P. Homewood. J. Appl. Phys., 89, 965 (2001)
M. Ferrari and L. Lutterotti. J. Appl. Phys., 76, 7246 (1994)
K. Oyoshi, D. Lenssen, R. Carius, S. Mantl. Thin Sol. Films, 381, 194 (2001)
Y. Maeda, K. Umezawa, Y. Hayashi, K. Miyake. Thin Sol. Films., 381, 219 (2001)
K. Lefki, P. Muret, E. Bustarret, N. Boutarek, R. Madar, J. Chevrier, J. Derrien, M. Brunel. Sol. St. Commun., 80, 791 (1991)
J. Pankove. Optical processes in Semiconductors (N.Y., Dover, 1971) p.34
Z. Yang, K.P. Homewood, M.S. Finney, M.A. Harry, K.J. Reeson. J. Appl. Phys., 78, 1958 (1995)
V. Daraktchieva, M. Baleva, E. Goranova, Ch. Angelov. Vacuum, 58, 415 (2000)
F. Urbach. Phys. Rev., 92, 1324 (1953)
Z. Yang, K.P. Homewood. J. Appl. Phys., 79, 4312 (1996)
Н.А. Дроздов, А.А. Патрин. Письма ЖЭТФ, 23, 651 (1976)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель