"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Квантовые точки 2 типа в системе Ge/Si
Двуреченский А.В.1, Якимов А.И.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 14 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.

Приводятся результаты по электронной структуре непрямого в пространстве экситона, многочастичных экситонных комплексов, отрицательной фотопроводимости в структурах Ge/Si с квантовыми точками. Проводится сравнение с данными для гетеросистем 2 типа с квантовыми точками на основе соединений AIIIBV и AIIBVI. Фундаментальные физические явления в изучаемых структурах заключаются в увеличении энергии связи экситона по сравнению с энергией связи свободных экситонов в объемных однородных полупроводниках; в коротковолновом сдвиге энергии экситонного перехода при образовании многочастичных комплексов (типа заряженный экситон, биэкситон); захвате равновесных носителей на локализованные состояния, формируемые электрическим полем заряженных квантовых точек.
  1. Ж.И. Алфёров. ФТП, 32, 317 (1998)
  2. С.В. Гапоненко. ФТП, 30, 577 (1996)
  3. N.N. Ledentsov. ФТП, 33, 1039 (1999)
  4. A.I. Yakimov, V.A. Markov, A.V. Dvurechenskii, O.P. Pchelyakov. Phil. Mag. B, 65, 701 (1992)
  5. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 32, 385 (1998)
  6. F. Hatami, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, J. Bohrer, F. Heinrichsdorff, M. Beer, D. Bimberg, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenreich, U. Richter, S.V. Ivanov, B.Ya. Meltser, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Appl. Phys. Lett., 67, 656 (1995)
  7. F. Hatami, M. Grundmann, N.N. Ledentsov, F. Heinrichsdorff, R. Heintz, J. Bohrer, D. Bimberg, S.S. Ruvimov, P. Werner, V.M. Ustinov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Phys. Rev. B, 57, 4635 (1998)
  8. J.M. Rorison. Phys. Rev. B, 48, 4643 (1993)
  9. U.E.H. Laheld, F.B. Pedersen, P.C. Hemmer. Phys. Rev. B, 52, 2697 (1995)
  10. S. Fukatsu, H. Sunamura, Y. Shiraki, S. Komiyama. Appl. Phys. Lett., 71, 258 (1997)
  11. А.В. Каламейцев, А.О. Говоров, В.М. Ковалев. Письма ЖЭТФ, 68, 634 (1998)
  12. А.В. Двуреченский, А.И. Якимов, В.А. Марков, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков. Изв. РАН. Сер. физ., 63, 307 (1999)
  13. А.В. Двуреченский, А.И. Якимов. Изв. РАН. Сер. физ., 6, 306 (2000)
  14. О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов. ФТП, 34, 1281 (2000)
  15. А.В. Двуреченский, А.И. Якимов. Изв. вузов Матер. электрон. техники, N 4, 4 (1999)
  16. A.I. Yakimov, V.A. Markov, A.V. Dvurechenskii, O.P. Pchelyakov. J. Phys.: Condens. Matter., 6, 2573 (1994)
  17. А.В. Ржанов. Электронные процессы на поверхности полупроводников (М., Наука, 1971)
  18. D. Bimberg. ФТП, 33, 1044 (1999)
  19. M.M. Rieger, P. Vogl. Phys. Rev. B, 48, 14 276 (1993)
  20. T. Meyer, M. Klemenc, H. Von Kanel. Phys. Rev. B, 60, R8493 (1999)
  21. O.G. Schidt, K. Eberl, Y. Rau. Phys. Rev. B, 62, 16 715 (2000)
  22. А.В. Ненашев, А.В. Двуреченский. ЖЭТФ, 118, 570 (2000)
  23. P.N. Keating. Phys. Rev., 145, 637 (1966)
  24. Y. Kikuchi, H. Sugii, K. Shintani. J. Appl. Phys., 89, 1191 (2001)
  25. Ч. Киттель. Квантовая теория твердых тел (М., Наука, 1967)
  26. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, Н.П. Степина, А.И. Никифоров, А.В. Ненашев. ЖЭТФ, 119, вып. 3 (2001)
  27. C.G. Van de Walle. Phys. Rev. B, 39, 1871 (1989)
  28. A.I. Yakimov, N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, A.V. Nenashev. Semicond. Sci. Technol., 15, 1125 (2000)
  29. R.J. Warbuton, C.S. Durr, K. Karrai, J.P. Kotthaus, G. Medeiros-Ribeiro, P.M. Petro. Phys. Rev. Lett., 79, 5282 (1997)
  30. K.H. Schmidt, G. Medeiros-Ribeiro, P.M. Petro. Phys. Rev. B, 58, 3597 (1998)
  31. M. Grundmann, O. Stier, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 52, 16, 11 969 (1995)
  32. Ф.В. Гаспарян, З.Н. Адамян, В.М. Арутюнян. Кремниевые фотоприемники (Ереван, Изд-во Ереван. ун-та, 1989)
  33. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков. Письма ЖЭТФ, 68, 125 (1998)
  34. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков. Письма ЖЭТФ, 72, 267 (2000)
  35. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov, A.A. Nenashev. Phys. Rev. B, 62, R16283 (2000)
  36. А.Ф. Иоффе. Физика полупроводников (М., Изд-во АН СССР, 1957)
  37. А.М. Данишевский, А.А. Кастальский, Б.С. Рывкин, С.М. Рывкин, И.Д. Ярошецкий. Письма ЖЭТФ, 10, 470 (1969)
  38. A.F. Gibson, P.N.D. Maggs. J. Phys. D: Appl. Phys., 7, 292 (1974)
  39. С.С. Ищенко, С.М. Окулов, А.А. Климов, З.Д. Ковалюк. ФТП, 17, 1230 (1983)
  40. I. Lo, W.C. Mitchel, R. Kaspi, S. Elhamri, R.S. Newrock. Appl. Phys. Lett., 65, 1024 (1994)
  41. J.-P. Cheng, I. Lo, W.C. Mitchel. J. Appl. Phys., 76, 667 (1994)
  42. I. Lo, S.J. Chen, Y.C. Lee, L.W. Tu, W.C. Mitchel, M. Ahoujja, R.E. Perrin, R.C. Tu, Y.K. Su, W.H. Lan, S.L. Tu. Phys. Rev. B, 57, R6819 (1998)
  43. С.А. Казьмин, В.И. Кайданов, С.С. Шевченко. ФТП, 19, 530 (1985)
  44. И.И. Засавицкий, Б.Н. Мацонашвили, В.Т. Трофимов. ФТП, 23, 2019 (1989)
  45. A.G. De Oliveira, G.M. Ribeiro, D.A.W. Soares, H. Chacham. Appl. Phys. Lett., 64, 2258 (1994)
  46. В.Г. Кустов. ФТП, 10, 2215 (1976)
  47. A.I. Yakimov, A.I. Dvurechenskii, N.P. Stepina, A.I. Nikiforov. Thin Sol. Films, 380, 82 (2000)
  48. А.В. Двуреченский, А.И. Якимов. Изв. РАН. Сер. физ., 65, 187 (2001)
  49. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenkii, Yu.Yu. Proskuryakov, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov, S.A. Teys, A.K. Gutakovskii. Appl. Phys. Lett., 75, 1413 (1999)
  50. P. Boucaud, V.Le. Thanh, S. Sauvage, D. Debarre, D. Bouchier. Appl. Phys. Lett., 74, 401 (1999)
  51. S. Sauvage, P. Boucaud, F.H. Julien, J.-M. Gerard, V. Thierry-Mieg. Appl. Phys. Lett., 71, 2785 (1997)
  52. S. Sauvage, P. Boucaud, F.H. Julien, J.-M. Gerard, V. Thierry-Mieg. J. Appl. Phys., 84, 4356 (1998)
  53. S. Sauvage, P. Boucaud, J.-M. Gerard, V. Thierry-Mieg. Phys. Rev. B, 58, 10 562 (1998)
  54. A. Weber, O. Gauthier-Lafaye, F.H. Julien, J. Brault, M. Gendry, Y. Desieres, T. Benyattou. Appl. Phys. Lett., 74, 413 (1999)
  55. T. Cho, J.-W. Kim, J.-E. Oh, S. Hong. Tech. Dig. Int. Electron. Dev. Meet., 441 (1998)
  56. S. Kim, H. Mohseni, M. Erdtmann, E. Michel, C. Jelen, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 73, 963 (1998)
  57. A.I. Yakimov, A.I. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, Yu.Yu. Proskuryakov. J. Appl. Phys., 89, N 6 (2001)
  58. R.P.G. Karunasiri, J.S. Park, K.L. Wang. Appl. Phys. Lett., 59, 2588 (1991)
  59. H. Mohseni, E. Michel, Jan Sandoen, M. Razeghi, W. Mitchel, G. Brown. Appl. Phys. Lett., 71, 1403 (1997)
  60. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov. Phys. Low-Dim. Structur., 3/4, 99 (1999)
  61. A.I. Yakimov, C.J. Adkins, R. Boucher, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov. Phys. Rev. B, 59, 12 598 (1999)
  62. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, C.J. Adkins. Phys. St. Sol. (b), 218, 105 (2000)
  63. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, V.V. Kirienko, Yu.I. Yakovlev, A.I. Nikiforov, C.J. Adkins. Phys. Rev. B, 61, 10 868 (2000)
  64. А.В. Двуреченский, В.А. Зиновьев, В.А. Кудрявцев, Ж.В. Смагина. Письма ЖЭТФ, 72 (3), 190 (2000).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.