"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оптические свойства монослоев германия на кремнии
Бурбаев Т.М.1, Заварицкая Т.Н.1, Курбатов В.А.1, Мельник Н.Н.1, Цветков В.А.1, Журавлев К.С.2, Марков В.А.2, Никифоров А.И.2
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 10 января 2001 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2001 г.

Исследованы спектры фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света тонких слоев германия на кремнии, выращенных при низкой температуре (250oC). Показано, что в таких структурах, в отличие от структур, выращенных при высокой температуре, люминесценция квантовых ям наблюдается при толщине германия, превышающей ~9 монослоев. С развитием дислокаций несоответствия линии люминесценции квантовых ям сдвигаются в область больших энергий, а поперечные оптические фононы, участвующие в люминесценции, распространяются в квазидвумерном слое германия. Показано, что введение дополнительного релаксированного подслоя Si0.95Ge0.05 в многослойную структуру Ge / Si приводит к значительному росту интенсивности и сужению линии люминесценции квантовых точек (до 24 мэВ), что указывает на их существенное упорядочение.
  1. P. Schittenhelm, C. Engel, F. Findeis, G. Abstreiter, A.A. Darhuber, G. Bauer, A.O. Kosogov, P. Werner. J. Vac. Sci. Technol. B, 16 (3), 1575 (1998)
  2. А.Б. Талочкин, А.В. Ефанов, В.А. Марков, А.И. Никифоров. Изв. РАН. Сер. физ., 63, 290 (1999)
  3. О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, Б. Фойхтлендер. Изв. РАН. Сер. физ., 64, 205 (2000)
  4. Ю.Г. Садофьев, Т.М. Бурбаев, В.А. Курбатов, М.М. Рзаев, В.А. Цветков, М.В. Байзер, С.Ю. Садофьев, Ю.В. Ларионов. Изв. РАН. Сер. физ., 64, 273 (2000)
  5. L.P. Rokhinson, D.C. Tsui, J.L. Benton, Y.-H. Xie. Appl. Phys. Lett., 75, 2413 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.