Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2023
- 1
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Рекордные мощностные характеристики лазеров на основе InGaAs / AlGaAs / GaAs-гетероструктур

Лившиц Д.А.¹, Егоров А.Ю.¹, Кочнев И.В.¹, Капитонов В.А.¹, Лантратов В.М.¹, Леденцов Н.Н.¹, Налет Т.А.¹, Тарасов И.С.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 4 сентября 2000 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Выходные мощности в непрерывном режиме 9.2 Вт при постоянной температуре теплоотвода 10^oC и 12.2 Вт в режиме стабилизации температуры активной области получены в лазере на основе InGaAs / AlGaAs (длина волны 1.03 мкм) с GaAs-волноводом толщиной 0.4 мкм. Достигнуты рекордно высокие плотности мощности на выходном зеркале 29.9 и 40 МВт/см² без катастрофической оптической деградации зеркал при двух режимах термостабилизации соответственно. В лазере с длиной резонатора 2 мм достигнут максимальный коэффициент полезного действия 66%.

D.Z. Garbuzov, N.Y. Antonishkis, A.D. Bondarev, A.B. Gulakov, S.N. Zhigulin, N.I. Katsavets, A.V. Kochergin, E.U. Rafailov. IEEE J. Quant. Electron., 27, 1531 (1991)
D.Z. Garbuzov, N.Ju. Antonishkis, S.N. Zhigulin, N.D. Il'inskaya, A.V. Kochergin, D.A. Livshits, E.U. Rafailov, M.V. Fuksman. Appl. Phys. Lett., 62, 1062 (1993)
D. Botez. Appl. Phys. Lett., 74, 3102 (1999)
D. Botez. Compound Semiconductors, 5 (6), 24--29 (1999)
A. Al-Muhanna, L. Mawst, D. Botez, D. Garbuzov, R. Martinelli. J. Connolly. Appl. Phys. Lett., 73, 1182 (1998)
J. Wang, B. Smith, X. Xie, X. Wang, G.T. Burnham. Appl. Phys. Lett., 74 (11), 1525 (1999)
D. Garbuzov, M. Maiorov, V. Khalfin, M. Harvey, A. Al-Muhanna, L. Mawst, D. Botez, J. Connolly. SPIE Photonics West Conference'99 (San Jose, CA, 1999) paper 3625-93
X. He, S. Srinivasan, S. Wilson, C. Mitchell, R. Patel. Electron. Lett., 34 (22), 2126 (1998)
D.A. Livshits, E.Yu. Kotelnikov, A.A. Katsnelson, W. Richter, V.P. Evtihiev, I.S. Tarasov, Zh.I. Alferov. Proc. 8-th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, 2000) p. 31
J.K. Lee, K.H. Pack, D.H. Jang, H.S. Cho, C.S. Park, K.E. Pyun, J. Jeong. IEEE Photon. Technol. Lett., 10 (9), 1226 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель