"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности роста жидкофазных эпитаксиальных слоев карбида кремния в вакууме
Бауман Д.А.1, Гаврилин А.В.2, Иванцов В.А.3, Морозов А.М.4,3, Кузнецов Н.И.4,2
1Институт высокопроизводительных вычислений и баз данных, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3TDI Inc., Dakota, Gaithersburg MD, USA
4Центр исследования и роста кристаллов, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2001 г.

Проведено исследование роста эпитаксиальных слоев 4H-SiC в вакууме методом жидкофазной эпитаксии. Установлена необходимость предварительного нанесения на подложку затравочного слоя с характерными для жидкофазной эпитаксии ступенями роста. Показано, что рост в вакууме приводит к снижению концентрации некомпенсированных носителей Nd--Na до уровня 2· 1016 см-3.
  1. B.J. Baliga. In: Proc. 6th Int. Conf. Silicon Carbide and Related Materials (Kyoto, Japan, 1995) v. 142, p. 1
  2. S.V. Rendakova, I.P. Nikitina, A.S. Tregubova, V.A. Dmitriev. J. Electron. Mater., 27, 292 (1998)
  3. S.V. Rendakova, V. Ivantsov, V.A. Dmitriev. Mater. Sci. Forum, 264-- 268. 163 (1998)
  4. V.E. Chelnokov, A.L. Syrkin, V.A. Dmitriev. Diamond and Related Mater., 6, 1480 (1997)
  5. N.I. Kuznetsov, A.M. Morozov, D.A. Bauman, V. Ivantsov, V. Sukhoveev, I. Nikitina, A. Zubrilov, S. Rendakova, V. Dmitriev, D. Hofmann, P. Masri. Mater. Sci. Forum, 338-- 342, 229 (2000)
  6. G. Sears. J. Chem. Phys., 25, 154 (1956)
  7. M.N. Kahn, S. Nishizawa, W. Bahng, K. Arai. Mater. Sci. Forum, 338-- 342, 233 (2000)
  8. С.А. Кукушкин, В.В. Слезов. Дисперсные системы на поверхности твердых тел (СПб., Наука, 1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.