Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Процессы окисления полупроводников и строение границ раздела
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 14 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.
Рассмотрены эффекты самоорганизации межфазных границ полупроводников (разделяющие поверхности и реакционные зоны) для важнейших в технологии микроэлектроники процессов окисления полупроводников. Анализ кинетических данных позволяет получить значения энтропии активации процессов и показать, что для системы кремний-кислород наблюдается максимальный эффект самоорганизации реакционной зоны или границы раздела кремний-диоксид кремния.
- А.В. Ржанов. Электронные процессы на поверхности полупроводников (М., Наука, 1971)
- С.М. Репинский. Поверхность, N 7--8 , 12 (1995)
- И. Пригожин. От существующего к возникающему (М., Наука, 1985)
- М. Эйген. Самоорганизация материи и эволюция биологических макромолекул (М., Мир, 1982)
- Ю. Климонтович. Успехи физ. наук, 158 (1), 60 (1989)
- Дж.В. Гиббс. Термодинамика. Статистическая механика (М., Наука, 1982)
- А.В. Русанов. Термодинамика поверхностных явлений (Л., ЛГУ, 1960)
- Г.К. Боресков. Гетерогенный катализ (М., Наука, 1988)
- Б.А. Нестеренко, О.В. Снитко. Физические свойства атомарно-чистой поверхности полупроводников (Киев, Наук. думка, 1983)
- Б.А. Нестеренко, В.Г. Ляпин. Фазовые переходы на свободных гранях и межфазных границах в полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1990)
- В.Г. Лифшиц. Электронная спектроскопия и атомные процессы на поверхности кремния (М., Наука, 1985)
- С.М. Репинский. Введение в химическую физику поверхности твердых тел (Новосибирск, Наука, 1993)
- B.Z. Olshanetsky, A.A. Shklyaev. Surf. Sci., 67, 681 (1977)
- B.Z. Olshanetsky, A.A. Shklyaev, S.M. Repinsky. Surf. Sci., 69, 205 (1977)
- M. Wautlet. Surf. Sci., 134, 803 (1983)
- А.В. Кожухов, Б.З. Кантер, С.И. Стенин, З.Ш. Яновицкая. Поверхность, N 7, 54 (1988)
- G.J. Russel, D.J. Haneman. Electrochem. Soc., 114, N 4. 398 (1967)
- А.В. Ржанов, С.М. Репинский. Журн. физ. химии, 52 (12), 3044 (1978)
- С.М. Репинский. Успехи химии, 52 (6), 922 (1983)
- М.Р. Бакланов, С.М. Репинский. Поверхность, N 3, 79 (1984)
- М.Р. Бакланов, С.М. Репинский, А.В. Ржанов. Кинетика и катализ, 31 (2), 292 (1990)
- M.R. Baklanov, S.M. Repinsky. Surf. Sci., 88, 427 (1979)
- С.М. Репинский, В.М. Елисеев, Л.Л. Свешникова. Журн. физ. химии, 55 (7), 1737 (1981)
- В.М. Елисеев, С.М. Репинский, Л.Л. Свешникова. Неорг. матер., 17 (9), 1529 (1981)
- S.M. Repinsky, O.I. Semenova. Thin Sol. Films, 75, 391 (1981)
- С.М. Репинский, О.И. Семенова. Неорг. матер., 14 (5), 831 (1978)
- В.А. Мямлин, Ю.В. Плесков. Электрохимия полупроводников (М., Наука, 1965)
- М.Р. Бакланов, С.М. Репинский. Изв. СО АН СССР. Сер. хим. наук, N 14, 89 (1981)
- M.R. Baklanov, V.N. Kruchinin, S.M. Repinsky, A.A. Schklyaev. Reactivity Sol. 7, 1 (1989)
- С.М. Репинский. Природа, N 5, 8 (1997)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
