"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Процессы окисления полупроводников и строение границ раздела
Репинский С.М.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 14 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.

Рассмотрены эффекты самоорганизации межфазных границ полупроводников (разделяющие поверхности и реакционные зоны) для важнейших в технологии микроэлектроники процессов окисления полупроводников. Анализ кинетических данных позволяет получить значения энтропии активации процессов и показать, что для системы кремний--кислород наблюдается максимальный эффект самоорганизации реакционной зоны или границы раздела кремний--диоксид кремния.
  1. А.В. Ржанов. Электронные процессы на поверхности полупроводников (М., Наука, 1971)
  2. С.М. Репинский. Поверхность, N 7--8 , 12 (1995)
  3. И. Пригожин. От существующего к возникающему (М., Наука, 1985)
  4. М. Эйген. Самоорганизация материи и эволюция биологических макромолекул (М., Мир, 1982)
  5. Ю. Климонтович. Успехи физ. наук, 158 (1), 60 (1989)
  6. Дж.В. Гиббс. Термодинамика. Статистическая механика (М., Наука, 1982)
  7. А.В. Русанов. Термодинамика поверхностных явлений (Л., ЛГУ, 1960)
  8. Г.К. Боресков. Гетерогенный катализ (М., Наука, 1988)
  9. Б.А. Нестеренко, О.В. Снитко. Физические свойства атомарно-чистой поверхности полупроводников (Киев, Наук. думка, 1983)
  10. Б.А. Нестеренко, В.Г. Ляпин. Фазовые переходы на свободных гранях и межфазных границах в полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1990)
  11. В.Г. Лифшиц. Электронная спектроскопия и атомные процессы на поверхности кремния (М., Наука, 1985)
  12. С.М. Репинский. Введение в химическую физику поверхности твердых тел (Новосибирск, Наука, 1993)
  13. B.Z. Olshanetsky, A.A. Shklyaev. Surf. Sci., 67, 681 (1977)
  14. B.Z. Olshanetsky, A.A. Shklyaev, S.M. Repinsky. Surf. Sci., 69, 205 (1977)
  15. M. Wautlet. Surf. Sci., 134, 803 (1983)
  16. А.В. Кожухов, Б.З. Кантер, С.И. Стенин, З.Ш. Яновицкая. Поверхность, N 7, 54 (1988)
  17. G.J. Russel, D.J. Haneman. Electrochem. Soc., 114, N 4. 398 (1967)
  18. А.В. Ржанов, С.М. Репинский. Журн. физ. химии, 52 (12), 3044 (1978)
  19. С.М. Репинский. Успехи химии, 52 (6), 922 (1983)
  20. М.Р. Бакланов, С.М. Репинский. Поверхность, N 3, 79 (1984)
  21. М.Р. Бакланов, С.М. Репинский, А.В. Ржанов. Кинетика и катализ, 31 (2), 292 (1990)
  22. M.R. Baklanov, S.M. Repinsky. Surf. Sci., 88, 427 (1979)
  23. С.М. Репинский, В.М. Елисеев, Л.Л. Свешникова. Журн. физ. химии, 55 (7), 1737 (1981)
  24. В.М. Елисеев, С.М. Репинский, Л.Л. Свешникова. Неорг. матер., 17 (9), 1529 (1981)
  25. S.M. Repinsky, O.I. Semenova. Thin Sol. Films, 75, 391 (1981)
  26. С.М. Репинский, О.И. Семенова. Неорг. матер., 14 (5), 831 (1978)
  27. В.А. Мямлин, Ю.В. Плесков. Электрохимия полупроводников (М., Наука, 1965)
  28. М.Р. Бакланов, С.М. Репинский. Изв. СО АН СССР. Сер. хим. наук, N 14, 89 (1981)
  29. M.R. Baklanov, V.N. Kruchinin, S.M. Repinsky, A.A. Schklyaev. Reactivity Sol. 7, 1 (1989)
  30. С.М. Репинский. Природа, N 5, 8 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.