"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Легирование полупроводников радиационными дефектами при облучении протонами и alpha-частицами О б з о р
Козлов В.А.1, Козловский В.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 ноября 2000 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2001 г.

Выполнен анализ одного из современных направлений модифицирования полупроводников пучками протонов и alpha-частиц, осуществляемого путем контролируемого введения в полупроводник радиационных дефектов. Показано, что легирование полупроводников радиационными дефектами при облучении легкими ионами открывает новые возможности управления свойствами полупроводниковых материалов и создания приборов опто-, микро- и наноэлектроники на их основе по сравнению с традиционными методами легирования --- диффузионным, эпитаксиальным, ионно-имплантационным.
  1. Вопросы радиационной технологии полупроводников, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1980)
  2. В.С. Вавилов, Б.М. Горин, Н.С. Данилин, А.Е. Кив, Ю.Л. Нуров, В.И. Шаховцов. Радиационные методы в твердотельной электронике (М., Наука, 1990)
  3. И.В. Васильева, Г.А. Ефремов, В.В. Козловский, В.Н. Ломасов, В.С. Иванов. Радиационные процессы в технологии материалов и изделий электронной техники, под ред. В.С. Иванова и В.В. Козловского (М., Энергоатомиздат, 1997)
  4. L.F. Zakharenkov, V.V. Kozlovski. In: Semiconductor Technology: Processing and Novel Fabrication Techniques, ed. by M. Levinshtein, M. Shur (N.Y., John Wiley \& Sons Inc., 1997) ch.2, p. 17
  5. Н.Б. Плешивцев, А.И. Бажин. Физика воздействия ионных пучков на материалы (М., Вузовская книга, 1998).
  6. Surface Modification and Alloying by Laser, Ion, and Electron Beams, ed. by J.M. Poate, G. Foti and D.C. Jacobson (N.Y., Plenum Press, 1983) [ Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками, перевод под ред. А.А. Углова (М., Машиностроение, 1987)]
  7. Interaction of charged particles with solids and surfaces, ed. by A. Gras-Marti, H.M. Urbassek, N.R. Arista and F. Flores (N.Y., Plenum Press, 1991) [ Взаимодействие заряженных частиц с твердым телом, перевод под ред. А.А. Писарева, В.В. Плетнева, В.Е. Юрасовой (М., Высшая шк., 1994)]
  8. S.J. Pearton, J.W. Corbett, M. Stavola. Hydrogen in Crystalline Semiconductors (Heidelberg, Springer Verlag, 1992)
  9. Hydrogen in Semiconductors, ed. by J.J. Pankove, N.M. Johnson (Boston, Academic, 1991)
  10. Hydrogen in Compound Semiconductors, ed. by S.J. Pearton (Trans. Tech. Aedermannsdorf, 1994)
  11. В.В. Козловский, Л.Ф. Захаренков, Б.А. Шустров. ФТП, 26, 3 (1992)
  12. В.В. Козловский, В.А. Козлов, В.Н. Ломасов. ФТП, 34, 129 (2000)
  13. V.V. Kozlovskii, L.F. Zakharenkov. Rad. Eff. Def. Sol., 138, 75 (1996)
  14. J. Lindhard, M. Scharff, H. Schiett. Kgl. Danske. Vid. Selskab. Mat. Fys. Medd., 33, 3 (1963)
  15. E.W. Maby. J. Appl. Phys., 47, 830 (1976)
  16. B. Schwartz, L.A. Koszi, P.J. Anthony, R.L. Hartman. J. Electrochem. Soc., 131, 1703 (1984)
  17. I.P. Donelly, F.I. Leonberger. Sol. St. Electron., 20, 183 (1977)
  18. H.A. Jenkinson, M. O'Tooni, J.M. Zavada, T.J. Hear, D.G. Larson. Ion Implantation and Ion Beam Proc. Mater. Symp. (N.Y., 1984) p. 377
  19. D.V. Lang. In: Radiation Effects in Semiconductors. [Inst. Phys. Conf. Ser. (London--Bristol, 1977) N 31, p. 70]. [Д. Ланг. В сб.: Точечные дефекты в твердых телах (М., Мир, 1979) с. 187.]
  20. D. Pons, J.C. Bourgoin. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 18, 3839 (1985)
  21. J.C. Bourgoin, H.J. Bardeleben, D. Stievenard. J. Appl. Phys., 64, R65 (1988)
  22. J.C. Bourgoin, H.J. Bardeleben, D. Stievenard. Phys. St. Sol. (a), 102, 499 (1987)
  23. В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., Радио и связь, 1981)
  24. H. Zillgen, P. Ehrhart. Mater. Sci. Forum, 258--263, 503 (1997)
  25. D. Stievenard, X. Boddaert, J.C. Bourgoin. Phys. Rev. B, 34, 4048 (1986)
  26. G. Guillot, A. Nouailhat, G. Vincent, M.Baldy, A. Chantre. Rev. Phys. Appl. 15, 679 (1980)
  27. P.N. Brunkov, V.S. Kalinovsky, V.G. Nikitin, M.M. Sobolev. Semicond. Sci. Technol., 7, 1237 (1992)
  28. Е.В. Вавилов, Л.Ф. Захаренков, В.В. Козловский, Я.Я. Пилькевич, С.И. Пономарев. Известия вузов. Физика, 32, 110 (1989)
  29. В.В. Козловский, Т.И. Кольченко, В.М. Ломако, С.Е. Мороз. ФТП, 24, 1123 (1990)
  30. В.В. Козловский, Т.И. Кольченко, В.М. Ломако, С.Е. Мороз. ФТП, 25, 267 (1991)
  31. В.В. Козловский, Т.И. Кольченко, В.М. Ломако. ФТП, 25, 545 (1991)
  32. Л.Ф. Захаренков, В.В. Козловский, Я.Я. Пилькевич. Изв. АН СССР. Неогр. матер., 26, 1145 (1990)
  33. В.В. Козловский, Т.И. Кольченко, В.М. Ломако. ФТП, 25, 1169 (1991)
  34. V.V. Kozlovski, T.I. Kolchenko, V.M. Lomako, L.F. Zakharenkov. Rad. Eff. Def. Sol., 138, 63 (1996)
  35. В.В. Козловский, Т.И. Кольченко, А.Э. Васильев. Поверхность, N 5--6, 65 (1999)
  36. В.В. Пешев, С.В. Смородинов. ФТП, 31, 1234 (1997)
  37. D. Pons, A. Mircea, J. Bourgoin. J. Appl. Phys., 51, 4150 (1980)
  38. Ж. Бургуэн, М. Ланно. Точечные дефекты в полупроводниках (экспериментальные аспекты) (М., Мир, 1985) [J. Bourgoin, M. Lannoo. Point Defects in Semiconductors II, Experimental Aspects, ed. by M. Cardona (N.Y., Springer, 1983)]
  39. Т.И. Кольченко, В.М. Ломако, С.Е. Мороз. ФТП, 22, 740 (1988)
  40. A. Sibille, J.C. Bourgoin. Appl. Phys. Lett., 41, 956 (1982)
  41. А.П. Мамонтов, В.В. Пешев. ФТП, 17, 1771 (1983)
  42. В.Л. Винецкий, Л.С. Смирнов. ФТП, 5, 176 (1971)
  43. J.C. Farmer, D.C. Look. J. Appl. Phys., 50, 2970 (1979)
  44. H. James, K. Lark-Horowitz. Z. Phys. Chem., 198, 107 (1951)
  45. D.C. Look, J.P. Sizelove. J. Appl. Phys., 62, 3660 (1987)
  46. H. Matsumura, K.G. Stephens. J. Appl. Phys., 48, 2779 (1977)
  47. I.P. Donelly, C.E. Hurwitz. Sol. St. Electron., 22, 727 (1977)
  48. V.N. Brudnyi, M.A. Krivov, A.I. Potapov. Sol. St. Commun., 34, 117 (1980)
  49. V.N. Brudnyi, S.N. Grynaev, V.E. Stepanov. Physica B, 212, 429 (1995)
  50. А.И. Потапов. Автореф. канд. дис. (Томск, ТГУ, 1999)
  51. Л.Ф. Захаренков, В.В. Козловский. ФТП, 27, 349 (1993)
  52. J.P. de Souza, I. Danilov, H. Boudinov. J. Appl. Phys., 81, 650 (1997)
  53. J.P. de Souza, I. Danilov, H. Boudinov. J. Appl. Phys., 84, 4757 (1998)
  54. J.P. de Souza, I. Danilov, H. Boudinov. Rad. Eff. Def. Sol., 147, 109 (1998)
  55. I. Danilov, J.P. de Souza, H. Boudinov, A.V. Murel, V.M. Daniltsev, V.I. Shashkin. Appl. Phys. Lett., 75, 1917 (1999)
  56. J.P. de Souza, I. Danilov, H. Boudinov. Appl. Phys. Lett., 68, 535 (1996)
  57. J.P. de Souza, I. Danilov, H. Boudinov. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res., B122, 51 (1997)
  58. V.V. Emtsev, V.Yu. Davydov, V.V. Kozlovski, V.V. Lundin, D.S. Poloskin, N.M. Shmidt, A.N. Smirnov, A.S. Usikov, J. Aderhold, H. Klausing, D. Mistele, T. Rotter, J. Stemmer, O. Semchinova, J. Graul. Semicond. Sci. Technol., 15, 73 (2000)
  59. C. Uzan-Saguy, J. Salzman, R. Kalish, V. Richter, U. Tish, S. Zamir, S. Prawer. Appl. Phys. Lett., 74, 2441 (1999)
  60. S.C. Binari, H.B. Dietrich, G. Kelner, L.B. Rowland, K. Doverspike, D.K. Wickenden. J. Appl. Phys., 78, 3008 (1995)
  61. P.N. Favennec, D. Diguet. Appl. Phys. Lett., 23, 546 (1973)
  62. K. Steeples, G. Dearnaley, A.M. Stoneham. Appl. Phys. Lett., 36, 981 (1980)
  63. H.H. Tan, J.S. Williams, C. Jagadish. J. Appl. Phys., 78, 1481 (1995)
  64. K. Wohlleben, W. Beck. Z. Naturforsh., b. 21a, 1057 (1966)
  65. A.G. Foyt, W.T. Kindley, C.M. Wolfe, J.P. Donelly. Sol. St. Electron., 12, 209 (1969)
  66. R.A. Murphy, W.T. Lindley, D.F. Peterson. Proc. Symp. on GaAs (1972): Gallium Arsenide and Related compounds (London--Bristol, 1973) p. 224
  67. J.D. Speight, P. Leigh, N. McIntyre, I.S. Groves, S.O. O'Hara, P. Hemment. Electron. Lett., 10, 98 (1974)
  68. B.R. Pruniaux, J.C. North, A.V. Payer. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-19, 672 (1972)
  69. В.В. Козловский, И.А. Козловская, Ю.А. Лифшиц, В.М. Марахонов. Письма ЖТФ, 20, 5 (1994)
  70. V.B. Cmill, A.V. Chuntonov, S.S. Khludkov, A.V. Koretsky, A.I. Potapov, O.P. Tolbanov, A.P. Vorobiev. J. Phys. D.: Appl. Phys., 28, 559 (1995)
  71. S.S. Khludkov, L.S. Okaevitch, A.I. Potapov, O.P. Tolbanov. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res., A395, 132 (1997)
  72. S.J. Pearton. Mater. Sci. Rep., 4, 313 (1990)
  73. K.T. Short, S.J. Pearton. J. Electrochem. Soc., 135, 2835 (1988)
  74. В.В. Козловский, И.А. Козловская, С.И. Пономарев. Письма ЖТФ, 20, 1 (1994)
  75. R.J. Fu, C.J. Hwang, C.S. Wange. Appl. Phys. Lett., 45, 716 (1984)
  76. J.C. Dyment, L.A. D'Asaro, J.C. North, B. Miller, J.F. Ripper. Proc. IEEE, 60, 726 (1972)
  77. J.J. Hsieh, J.A. Rossi, J.P. Donnelly. Appl. Phys. Lett., 28, 709 (1976)
  78. V.O. Naidenov. In: Int. School of Physics "Enrico Fermi", ed. by E. Bussoletti, G. Strazzula (North--Holland, Amsterdam, 1991) p. 371
  79. B. Zhang, M. Yi, J. Song, D. Gao, N. Zhu, R. Wu, W. Wang. Japan. J. Appl. Phys., 38, pt 1, 6729 (1999)
  80. Б.Н. Мукашев, Х.А. Абдуллин, Ю.В. Горелкинский. УФН, 170, 143 (2000)
  81. L. Palmetshofer, J. Reisinger. J. Appl. Phys., 72, 2167 (1992)
  82. A. Hallen, N. Keskitalo, F. Masszi, V. Nagl. J. Appl. Phys., 79, 3906 (1996)
  83. K. Irmscher, H. Klose, L. Maass. J. Phys. C, 17, 6317 (1984)
  84. A. Hallen, B.U.R. Sundgvist, Z. Paska, B.G. Svensson, M. Rosling, J. Tiren. J. Appl. Phys., 67, 1266 (1990)
  85. W. Wondrak, K. Bethge, D. Silber. J. Appl. Phys., 62, 3464 (1987)
  86. W. Wondrak, D. Silber. Physica, BC129, 322 (1985)
  87. P. Hazdra, J. Vobecky. Sol. St. Phenomena, 69--70, 545 (1999)
  88. P.V. Kuchinskii, V.M. Lomako. Sol. St. Electron., 29, 1041 (1986)
  89. А.М. Иванов, Н.Б. Строкан, В.Б. Шуман. ФТП, 32, 359 (1998)
  90. H. Kauppinen, C. Corbel, K. Skog, K. Saarinen, T. Laine, P. Hautojarvi, P. Desgardin, E. Ntsoenzok. Phys. Rev. B, 55, 9598 (1997)
  91. V. Eremin, A. Ivanov, E. Verbitskaya, Z. Li, S.U. Pundey. Nucl. Instr. Meth., A426, 120 (1999)
  92. А.С. Зубрилов, С.В. Ковешников. Препринт N 1342 ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН (Л., 1989)
  93. J. Lutz, W. Sudkamp, W. Gerlach. Sol. St. Electron., 42, 931 (1998)
  94. Е.М. Вербицкая, В.К. Еремин, А.М. Иванов, З. Ли, Б. Шмидт. ФТП, 31, 299 (1997) [E.M. Verbitskaja, V.K. Eremin, A.M. Ivanov, Z. Li, B. Schmidt. Semiconductors, 31, 189 (1997)]
  95. Е.М. Вербицкая, В.К. Еремин, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан. З. Ли, Б. Шмидт. ФТП, 27, 1136 (1993) [E.M. Verbitskaja, V.K. Eremin, A.M. Ivanov, N.B. Strokan, Z. Li, B. Schmidt. Semiconductors, 27, 1207 (1993)]
  96. A.O. Evwaraye, B.J. Baliga. J. Electrochem. Soc., 124, 913 (1977)
  97. R. Laiho, L.S. Vlasenko, M.P. Vlasenko, V.A. Kozlov, V.V. Kozlovski. Appl. Phys. Lett., 74, 3948 (1999)
  98. Y. Ohmura, Y. Zohta, M. Kanazawa. Sol. St. Commun., 11, 263 (1972)
  99. Yu.V. Gorelkinskii, N.N. Nevinnyi. Physica, B170, 155 (1991)
  100. V.P. Markevich. Mater. Sci. Forum, 196--201, 945 (1995)
  101. B.N. Mukashev, M.F. Tamendarov, S. Zhtakmoldin, V.V. Frolov. Phys. St. Sol. (a), 91, 509 (1985)
  102. R. Job, J.A. Weima, G. Grabosch, D. Borchert, W.R. Fahrner, V. Raiko, A.G. Ulyashin. Sol. St. Phenomena, 69--70, 551 (1999)
  103. J. Reisinger, L. Palmetshofer. Appl. Phys. Lett., 59, 3583 (1991)
  104. P. Hazdra, J. Vobecky. Sol. St. Electron., 37, 127 (1994)
  105. J. Vobecky, P. Hazdra, J. Voves, F. Spurny, J. Homola. Proc. ISPSD-94 (Davos, 1994) p. 265
  106. В.А. Козлов, И.В. Грехов. Тез. докл. VI Межнац. сов. "Радиационная физика твердого тела" (Севастополь, 1996) с. 140
  107. A.F. Kardo-Sysoev, V.I. Brylevsky, Y.S. Lelikov, I.A. Smirnova, S.V. Zazulin, I.G. Tchashnicov, V.I. Scherbak, B.I. Sukhovetsky. Abstracts UWB'99 Conf. (Washington DC, 1999) p. 4
  108. И.В. Грехов, В.А. Козлов, С.В. Шендерей. А. с. N 95109009/20 (1997)
  109. J. Bartko, K.N. Sun. US Patent 4056408 (1977)
  110. В.М. Волле, В.Б. Воронков, И.В. Грехов, Г.М. Гусинский, В.А. Козлов, В.О. Найденов. ЖТФ, 57, 1925 (1987)
  111. В.М. Волле, В.Б. Воронков, И.В. Грехов, Г.М. Гусинский, Е.М. Гейфман, В.А. Козлов, В.О. Найденов. А. с. N 1533569 (1988)
  112. I.V. Grekhov, V.A. Kozlov, S.V. Korotkov, A.G. Andreev, I.V. Eremin, V.V. Chibirkin. Abstracts 12th Int. Conf. "Beams'98" (Haifa, 1998) p. 443
  113. И.В. Грехов, В.А. Козлов, С.В. Коротков, Л.С. Костина, И.В. Еремин, А.Г. Андреев. Изв. РАН. Энергетика, N 4, 106 (1996)
  114. B. Thomas, D. Silber, H. Berg, M. Tscharn. Proc. Industry Applications Soc. Ann. Meeting. IEEE-IAS-1985 (1985) p. 882
  115. A. Hallen, M. Bakowski. Sol. St. Electron., 32, 1033 (1989)
  116. В.М. Волле, В.Б. Воронков, И.В. Грехов, В.А. Козлов, Э.И. Куузик, В.М. Рухамкин, А.В. Свирин. Электротехника, N 6, 58 (1991)
  117. V.A. Kozlov, I.V. Grekhov, I.V. Eremin, S.V. Shenderey. Abstracts 12th Int. Conf. "Beams'98" (Haifa, 1998) p. 398
  118. J. Li, K.W. Jones, J.H. Coleman, J. Yi, R. Wallace, W.A. Anderson. Mater Res. Soc. Proc., 396, 745 (1996)
  119. A.M. Strelchuk, A.A. Lebedev, V.V. Kozlovskii, N.S. Savkina, D.V. Davydov, V.V. Soloviev, M.G. Rastegaeva. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B, 147, 74 (1999)
  120. A.A. Lebedev, A.I. Veinger, D.V. Davydov, V.V. Kozlovski, N.S. Savkina, A.M. Strelchuk. J. Appl. Phys., 88, 6265 (2000)
  121. Н.Б. Строкан, А.М. Иванов, А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов, В.В. Козловский. ФТП, 34, 1443 (2000)
  122. К.А. Валиев. Тез. докл. Всеросс. научно-техн. конф. "Микро- и наноэлектроника-98" (Звенигород, 1998) т. 1, с. Л1-1
  123. К.А. Валиев, А.А. Орликовский. Электроника: наука, технология, бизнес, N 5--6, 3 (1996); Электроника: наука, технология, бизнес, N 1, 3 (1997)
  124. В.В. Козловский, В.А. Козлов. Тез. докл. Всеросс. научн.-техн. конф. "Микро- и наноэлектроника-98" (Звенигород, 1998) т. 1, с. 01-4
  125. K.D. Hobart, F.J. Kub, G.G. Jernigan, M.E. Twing, P.E. Thompson. Electron. Lett., 34, 1265 (1998)
  126. V.V. Kozlovskii, V.A. Kozlov. Conf. Abstr. of NATO Advanced Research Workshop on SOI (Kyev, 1998) p. 94
  127. V.K. Smirnov, A.B. Danilin. In: Perspectives, Science and Technologies for Novel Silicon on Insulator Devices, ed. by P.L.F. Hemment, V.S. Lysenko and A.N. Nazarov [NATO Science Ser. 3. High Technology (1998) v. 73, p. 315]
  128. Y. Omura. In: Perspectives, Science and Technologies for Novel Silicon on Insulator Devices, ed. by P.L.F. Hemment, V.S. Lysenko and A.N. Nazarov [NATO Science Ser. 3. High Technology (1998) v. 73, p. 257]
  129. J. Weber. In: Proc. 24 Int. Conf. "The Physics of Semiconductors" (Jerusalem, 1998) p. 209
  130. T. Sadox, K. Tsukamoto, A. Baba, D. Bai, A. Kenjo, T. Tsirushima, H. Mori, H. Nakashima. J. Appl. Phys., 82, 3828 (1997)
  131. Y. Kamiura, M. Hayashi, Y. Nishiyama, S. Ohyama, Y. Yamashita. Japan. J. Appl. Phys., 36, 6579 (1997)
  132. I.P. Ipatova, O.P. Chikalova-Luzina, K. Hess. J. Appl. Phys., 83, 814 (1998)
  133. I.P. Ipatova, O.P. Chikalova-Luzina, K. Hess. Superlatt. Microstruct., 27, 437 (2000)
  134. N. Achtziger, J. Crillenberger, W. Witthuhn, M.K. Linnarson, M. Janson, B.G. Swensson. Appl. Phys. Lett., 73, 945 (1998)
  135. П.А. Иванов, О.И. Коньков, В.Н. Пантелеев, Т.П. Самсонова. ФТП, 31, 1404 (1997) [P.A. Ivanov, O.I. Kon'kov, V.N. Panteleev, T.P. Samsonova. Semiconductors, 31, 1212 (1997)]
  136. P. Gluche, A. Aleksov, A. Vescan, W. Ebert, E. Kohn. IEEE Electron. Dev. Lett., 18, 547 (1997)
  137. V.A. Kagadei, D.I. Proskurovsky. J. Vac. Sci. Technol. A, 16, 2556 (1998)
  138. В.Г. Божков, В.А. Кагадей, Н.А. Торхов. Тез. докл. Всеросс. научн.-техн. конф. "Микро- и наноэлектроника-98" (Звенигород, 1998) т. 1, с. Р1-49.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.