Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Микроструктура и физические свойства тонких пленок SnO₂

Рембеза С.И.¹, Свистова Т.В.¹, Рембеза Е.С.², Борсякова О.И.¹

¹Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия Voronezh State Technical University, Voronezh, Russia

²Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия Voronezh State University, Voronezh, Russia

Поступила в редакцию: 16 февраля 1999 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2001 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовались электрические, оптические и газочувствительные свойства, а также структура и фазовый состав тонких магнетронных пленок SnO₂ на подложках из стекла. Четырехзондовым методом и методом Ван-дер-Пау определено электросопротивление, концентрация и подвижность свободных носителей заряда в пленках. Из спектров собственного оптического поглощения оценена ширина запрещенной зоны и характер оптических переходов в поликристаллах. Измерена газовая чувствительность к токсичным и взрывоопасным газам. С помощью peнтгеновской дифракции и электронной микроскопии определены состав, морфология и кристаллическая структура термообработанных при 600^oC пленок. В пленках только тетрагональная фаза SnO₂, они хорошо кристаллизованы, средний размер зерна после термообработки составляет 11-19 нм. Рассмотрена модель электропроводности поликристаллических пленок SnO₂.

W. Gopel. Sensors and Actuators B, 16, 167 (1989)
J. Watson, K. Ihokura, G.S.V. Coles. Mater. Sci. Techn., 4, 711 (1993)
T. Hirayashi. Sensors Technol., 6, 78 (1986)
G. Mc Carthy, J. Welton. Powder Diffraction, 4, 156 (1989)
Р.М. Вощилова, Д.П. Димитров, Н.И. Долотов, А.Р. Кузьмин, А.В. Махин, В.А. Мошников, Ю.М. Таиров. ФТП, 29 (11), 1987 (1995)
J.I. Pankove. Optical processes in semiconductors (Prentice-Hall, Inc., N.J., 1971)
E.E. Kohnke. J. Phys. Chem. Sol., 23, 1557 (1962)
N. Barsan. Sensors and Actuators B, 17, 241 (1997)
M. Rekas, Z. Szklarski. Bull. Polish Academy Sci. Chem., 44, 155 (1996)
J. Watson, K. Ihokura, G.S.V. Colest. Meas. Sci. Technol., 4, 717 (1993)
C. Xu, J. Tamaki, N. Miura, N. Yamazoe. Sensors and Actuators B, 3, 147 (1991)
R. Summitt. J. Appl. Phys., 39, 3762 (1968)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель