"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
О точности восстановления профиля легирования полупроводников на основе вольт-фарадных измерений в процессе электрохимического травления
Каретникова И.Р.1, Нефедов И.М.1, Шашкин В.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 23 ноября 2000 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2001 г.

На основе численного моделирования проанализированы погрешности различных методов восстановления распределения легирующей примеси в полупроводниках по данным вольт-фарадных измерений в электрохимической ячейке. Показано, что предложенные ранее авторами два простых метода не только позволяют определить профиль легирования непосредственно на поверхности структуры, но и потенциально являются более точными, чем традиционно используемый подход. Однако эти методы предъявляют более высокие требования к точности измеряемых данных. Для их успешного применения относительная погрешность измерений должна быть не хуже 5· 10-4, что примерно на порядок выше обычного экспериментального уровня.
  1. В.В. Батавин, Ю.А. Концевой, Ю.Ф. Федорович. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур (М., Радио и связь, 1985)
  2. P. Blood. Semicond. Sci. Technol., 1, 7 (1986)
  3. M.M. Faktor, T. Ambridge, E.G. Bremmer. Apparatus and Method for Measuring Carrier Concentration in Semiconductor Materials [U. K. Patent Specification No. 1482929 (1975)]
  4. M.M. Faktor, T. Ambridge, C.R. Elliott, J.C. Regnault. Current Topics in Material Science, ed. by E. Kuldis (1980) v. 6, p. 1
  5. G.J.L. Quwerling. Sol. St. Electron., 33, 757 (1990)
  6. K. Iniewski, C.A.T. Salama. Sol. St. Electron., 34, 309 (1991)
  7. M.F. Kokorev, N.A. Maleev, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.F. Zhukov. Abstracts Int. Symp. "Nanostructures: Physics, and technology" (St. Petersburg, 1996) p. 161
  8. Y.K. Yeo, G.H. Gainer, Jr, Jong Hyun Kin, R.L. Hengehold. Appl. Phys. Lett., 56, 75 (1990)
  9. В.И. Шашкин, И.Р. Каретникова, А.В. Мурель, И.М. Нефедов, И.А. Шерешевский. ФТП 31, 8 (1997)
  10. V. Shashkin, I. Karetnikova, A. Murel, I. Nefedov, I. Shereshevskii. IEEE, Trans. Electron. Dev., 6, 47 (2000)
  11. W.C. Johnson, P.T. Panousis. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-18, 965 (1971)
  12. B. Jogal, C.E. Stutz. Appl. Phys., 78, 2531 (1995)
  13. L.H. Hollway. IEEE Trans. Electron. Dev., 37, 1104 (1990)
  14. И.В. Ирин, А.В. Мурель. ПТЭ, N 6, 150 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.