"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оптические свойства монокристаллов Cd1-xZnxTe (0<x<0.1) в инфракрасном диапазоне длин волн
Белогорохов А.И.1, Лакеенков В.М.1, Белогорохова Л.И.2
1Федеральное государственное унитарное предприятие, Научный центр "Гиредмет", Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 15 ноября 2000 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2001 г.

Методами длинноволновой оптической спектроскопии исследовались дисперсионные зависимости коэффициента пропускания T(omega) монокристаллов Cd1-xZnxTe (0<x<0.1), выращенных с помощью модифицированного метода Бриджмена, в интервале температур 5-300 K. В неотожженных образцах, имеющих p-тип проводимости, наблюдалось резкое увеличение поглощения в области энергий, меньших ширины запрещенной зоны. Более того, при изменении температуры образца от 5 до 300 K зависимости T(omega) пересекаются практически на одной и той же длине волны. Рассчитаны теоретические дисперсионные зависимости T(omega) с учетом существенного вклада механизма межподзонного перехода носителей заряда в валентной зоне. Проведена оценка положения уровня Ферми в исследованных образцах при T=77.3 и 295 K. При x=0.040-0.047 наблюдается немонотонная зависимость положения уровня Ферми от состава. Обсуждается вопрос о возможном влиянии преципитатов теллура на уменьшение коэффициента пропускания света в Cd1-xZnxTe в области волновых чисел 3000-400 см-1.
  1. E.A. Paten, M.H. Kalisher, G.R. Chapman, J.M. Fulton, C.Y. Huang, P.R. Norton, M. Ray, S. Sen. J. Vac. Sci. Technol., B9, 1746 (1991)
  2. S.M. Johnson, M.H. Kalisher, W.L. Ahlgren, J.B. James, C.A. Cockrum. Appl. Phys. Lett., 56, 946 (1990)
  3. P. Fougeres, M. Hage-Ali, J.M. Koebel, P. Siffert, S. Hassan, A. Lusson, R. Triboulet, G. Marrakchi, A. Zerrai, K. Cherkaoui, R. Adhiri, G. Bremond, O. Kaitasov, M.O. Ruault, J. Crestou. J. Cryst. Growth, 184/185, 1313 (1998)
  4. D. Ohimann, M. Mazilu, R. Levy, B. Honerlage. J. Appl. Phys., 82, 1355 (1997)
  5. A.J. Syllaios, P.-K. Liao, B.J. Greene, H.F. Schaake, H.-Y. Liu, G. Westphal. J. Electron. Mater., 26, 567 (1997)
  6. J. Zhu, X. Zhang, B. Li, J. Chu. Infr. Phys. Techn., 40, 411 (1999)
  7. А.Р. Гареева, В.И. Петров, Н.А. Смирнова, В.М. Лакеенков, А.Г. Белов, А.И. Белогорохов, Н.В. Пашкова. Матер. VIII Всес. симп. по полупроводникам с узкой запрещенной зоной и полуметаллам (Львов, Украина, 1991) т. 2, с. 148
  8. Н.В. Агринская, В.В. Шашкова. ФТП, 24, 697 (1990)
  9. А.И. Белогорохов. ФТТ, 34, 1045 (1991)
  10. A.I. Belogorokhov, L.I. Belogorokhova, A.G. Belov, V.M. Lakeenkov, L.M. Liberant, N.A. Smirnova. J. Cryst. Growth, 159, 186 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.