"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Металлическая проводимость по акцепторной зоне легированных медью слабо компенсированных кристаллов p-Hg0.78Cd0.22Te
Богобоящий В.В.1
1Кременчугский государственный политехнический институт, Кременчуг, Украина
Поступила в редакцию: 20 сентября 2000 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2001 г.

Изучены электропроводность и эффект Холла сильно легированных кристаллов p-Hg0.78Cd0.22Te : Cu в диапазоне температур 4.2-125 K. При концентрации акцепторов NA>3.8· 1017 см-3 проводимость по примесной зоне имеет металлический характер. Электропроводность и коэффициент Холла, обусловленные делокализованными носителями заряда в примесной зоне, не зависят от температуры. Знак эффекта Холла в области металлической проводимости положительный. Вблизи точки перехода металл--диэлектрик холловская подвижность линейно растет с ростом концентрации акцепторов, а при NA>1.6· 1018 см-3 не зависит от нее. Удельная металлическая электропроводность пропорциональна NA в исследованной области концентраций при NA<3.1· 1018 см-3. При концентрации меди NA=1.4· 1017 см-3 наблюдается переход Андерсона в примесной A+-зоне, образованной положительно заряженными акцепторами. Минимальная металлическая проводимость, соответствующая этому переходу, равна 5.1 Ом-1· см-1. Показано, что varepsilon2-проводимость в допороговой области обусловливается делокализованными носителями в верхней зоне Хаббарда только при достаточно сильном легировании (NA>1.4· 1017 см-3), а при NA<1.4· 1017 см-3 она имеет прыжковый характер.
  1. Н. Мотт, Е. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) т. 1
  2. В.В. Богобоящий, Г.А. Шепельский, С.Г. Гасан-заде. ФТП, 34 (4), 411 (2000)
  3. В.В. Богобоящий, А.И. Елизаров, В.А. Петряков, В.И. Стафеев, В.Н. Северцев. ФТП, 21 (8), 1469 (1987)
  4. А.И. Елизаров, В.И. Иванов-Омский. ФТП, 15 (5), 927 (1981)
  5. Н.Н. Берченко, В.В. Богобоящий, А.И. Елизаров и др. Матер. Всес. сем. по проблеме " Физика и химия полупроводников" (Павлодар, 1987) с. 129
  6. В.В. Богобоящий. ФТП, 34 (8), 955 (2000)
  7. V.V. Bogoboyashchiy. Proc. SPIE, 3486, 325 (1997)
  8. В.А. Базакуца, В.И.Белозерцева, В.В. Богобоящий и др. Матер. Всес. сем. по проблеме " Физика и химия полупроводников" (Павлодар, 1987) с. 148
  9. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979) с. 185, 286
  10. Б.Л. Гельмонт, М.С. Дьяконов. ФТП, 5 (11), 2191 (1971)
  11. А.В. Любченко, Е.А. Сальков, Ф.Ф. Сизов. Физические основы полупроводниковой квантовой фотоэлектроники (Киев, Наук. думка, 1984) с. 126.!! vadjust !!
  12. L.Friedman. J. Non-Cryst. Sol., 6, 329 (1971)
  13. Дж. Займан. Модели беспорядка (М., Мир, 1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.