Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Об оптической прочности зеркал высокомощных квантово-размерных лазерных диодов с раздельным ограничением, работающих в непрерывном режиме

Алферов Ж.И.¹, Кацавец Н.И.¹, Петриков В.Д.¹, Тарасов И.С.¹, Халфин В.Б.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 22 мая 1995 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Произведен расчет локальной температуры активной области на зеркалах лазерных диодов с раздельным ограничением. Показано, что максимальная оптическая плотность лазерной моды на зеркале, которую можно получить до его катастрофической деградации, зависит от фактора оптического ограничения структуры (Gamma-фактора) и толщины приповерхностного слоя активной области с повышенной скоростью безызлучательной рекомбинации. Проведены детальные исследования локальной температуры активной области на зеркалах квантово-размерных содержащих Al (AlGaAs/GaAs, InGaAs/AlGaAs/GaAs) и свободных от него (InGaAsP/GaAs) лазерных диодов с различной величиной Gamma-фактора, которые хорошо согласуются с расчетными данными.

H.G. Casey, M.B. Panish. \it Heterostructure Lasers (Academic Press, N. Y., 1978)
C.H. Henry, P.M. Petroff, R.A. Logan, F.R. Merrit. J. Appl. Phys., 50, 3721 (1979)
S. Todoroki, M. Sawai, K. Aiki. J. Appl. Phys., 58, 1124 (1985)
H. Brugger, P.W. Epperlein. Appl. Phys. Lett., 56, 1149 (1990)
W.C. Tang, H.J. Rosen, P. Vettiger, D.J. Webb. Appl. Phys. Lett., 58, 557 (1991)
J.S. Yoo, H.H. Lee, P. Zory. IEEE J. Quant. Electron., 28, 635 (1992)
J.V. Cole, H.H. Lee. IEEE J. Quant. Electron., 29, 322 (1993)
G. Chen, C.L. Tien. J. Appl. Phys., 74, 2167 (1993)
D.Z. Garbuzov, N.I. Katsavets, A.V. Kochergin, V.B. Khalfin. \it Proc. Joint Soviet-American Workshop on the Physics of Semiconductor Lasers (Leningrad, 1991) p. 6
D.Z. Garbuzov, N.Yu. Antonishkis, A.D. Bondarev, A.B. Gulakov, S.V. Zhigulin, N.I. Katsavets, A.V. Kochergin, E.V. Rafailov. IEEE J. Quant. Electron., 27, 1531 (1991)
A.V. Belov, E.M. Dianov, D.D. Gusovsky, V.I. Karpov, V.E. Khopin, A.S. Kurkov, Y.M. Shernyakov, B.S. Yavich. Soviet Lightwave Commun., 3, 3 (1990)
П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. \it Полупроводниковая электроника (Киев, 1975)
G. Lengyel, Kevin W. Jelly, W.H. Engeiman. IEEE J. Quant. Electron., QE-26, 2, 286 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель