"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов на основе широкозонных соединений A IIB VI
Махний В.П.1
1Черновицкий государственный университет, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 6 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1996 г.

Изучены основные закономерности фотоэлектрических явлений в анизотипных гетеропереходах, изготовленных методом реакций твердофазного замещения на основе соединений AIIBVI. Свойства диодов обсуждаются в связи как с технологией их получения, так и с основными параметрами контактирующих материалов и выпрямляющей структуры.
  1. А.В. Симашкевич. \it Гетеропереходы на основе полупроводниковых соединений A^2B^6 (Кишинев, Штиинца, 1980)
  2. Б.Л. Шарма, Р.К. Пухорит. \it Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979)
  3. А. Милнс, Д. Фойхт. \it Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975)
  4. В.П. Махний. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 27, 619 (1991)
  5. L.A. Kosyachenko, V.P. Makhnij. J. Cryst. Growth, 110, 523 (1991)
  6. В.П. Махний. Электрон. техн. Материалы, вып. 4, 30 (1991)
  7. L.A. Kosyachenko, V.P. Mkhniy, V.Ye. Baranyuk, V.V. Melnik. J. Cryst. Growth, 112, 583 (1992)
  8. В.Е. Баранюк, Л.И. Воевидко, В.П. Махний, В.Д. Рыжиков. Неорг. матер., 29, 187 (1992)
  9. В.П. Баранюк, Л.И. Воевидко, В.П. Махний, А.В. Савицкий, К.С. Ульяницкий. УФЖ, 39, 485 (1994)
  10. Н.Н. Берченко, В.Е. Кревс, В.Г. Средин. \it Полупроводниковые твердые растворы и их применение (М., Воениздат, 1982)
  11. И.М. Викулин, Ш.Д. Курмашев, В.И. Стафеев. \it Фотоприемники с инжекционным усилением (М., ЦНИИ "Электроника", 1989)
  12. В.П. Махний. Автореф. докт. дис. (Черновцы, 1992)
  13. В.Е. Баранюк, В.П. Махний. ЖПС, 50, 333 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.